利用opc方法提高nand flash cell wl均匀性 improve the un of nand flash cell wl with opc methods.pdfVIP

下载本文档

21
0
约1.54万字
约 5页
2017-08-12 发布于上海
举报
版权申诉

利用opc方法提高nand flash cell wl均匀性 improve the un of nand flash cell wl with opc methods.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

利用opc方法提高nand flash cell wl均匀性 improve the un of nand flash cell wl with opc methods

第8卷．第1l期电子与封装总第67期 V01．8，No．11 2008年11月 ELECTRONICSPACKAGING 徽电子嗣造与可靠性 FLASHCELL 利用OPC方法提高NAND WL均匀性徐海洁1．2，程秀兰t (1．上海交通大学微电子学院，上海200030；2。中芯国际集成电路制造(上海)有限公司TD，上海201203) 摘要：随着集成电路制造工艺的飞速发展，图形最小线宽(CD)越来越小。为了提高分辨率，在设备方面，光刻机一方面不断减小光源的波长，另一方面尽可能地增大透镜孔径的大小。但是这会极大的增加成本，而且同时也无法解决随着最小线宽的逐渐缩小，实际曝光时，由于光的衍射，投影到光刻胶涂层上的图形对此度和图形失真的问题。所以在六、七年前0．18“m技术节点 Correction)技术就被广泛应用到掩模版的制作，以得到在相同光刻条件时，OPC(OpticalProximity 下更高的分辨率和更逼真的图形。文章主要介绍在传统的OPC技术下如何结合其他新的OPC技术提高NANDFLASHCELLWL的均匀性。关键词：光刻；OPC；分辨率；NANDFLASHCELL；均匀性中图分类号：TN305．7文献标识码：A 文章编号：1681-1070(2008)11-003l一05 the ofNAND with UN FLASHCELLWL OPCMethods Improve XU CHENGXiu—lanl Hai-jiel．2 Jiao 200030，China； (1．ShanghaiTongUniversity，Shanghai 2．SemiconductorInternational 201203，China) Manufacture Shanghai Corporation(Shanghai)Mm Abstract：Withthe oflCmanufacture sizeofCDbecomesmallerandsmaller．Inorder development lechnical，the to is theother machine decreasethe ofwaveontheone improveresolution，exposure length hand，on keeping handincreasethevalueofNA．Butthiswilladdthecostof andcannotsolvethereal on production pattern wafer’S anduistortedissuedueto whenCDbecomesmallerandsmaller．OPCte