利用rts噪声确定mosfet氧化层中陷阱位置的方法 a method for locating the position of an oxide trap in a mosfet by rts noise.pdfVIP

下载本文档

14
0
约3.78万字
约 5页
2017-08-12 发布于上海
举报
版权申诉

利用rts噪声确定mosfet氧化层中陷阱位置的方法 a method for locating the position of an oxide trap in a mosfet by rts noise.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

利用rts噪声确定mosfet氧化层中陷阱位置的方法 a method for locating the position of an oxide trap in a mosfet by rts noise

第卷第期半导体学报 27 8 VOl.27 NO.8 年月 , 2006 8 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Au . 2006 g 利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法% 鲍立包军林庄奕琪T 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 摘要!强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米 MOS器件可靠性的关键因素之一文中研究了. 深亚微米器件的随机电报信号的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来 MOS RTS 确定边界陷阱空间分布的新方法对器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深 . 0.18 m0.15 m HMOS # # 亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段. 关键词!RTS~深亚微米~边界陷阱~MOS器件~可靠性 ~ ~ ~ PACC 4350 5225G 7270 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN386 A 0253-4177 2006 08-1426-05 较大的测量误差,还可能对需要较大栅压才能表现 I 引言出RTS 的器件造成损伤. 本文提出一种使用比较大的漏电压在器件非饱栅氧化层陷阱是影响MOS器件可靠性的关键和区进行正.反向多次测量的方法,通过对器件的沟因素之一,研究器件中的陷阱不仅是一种可靠性的道内电压分布的精确求解,能够更精确地计算出栅 [ ,] 评估手段,还可以为器件的改善提供指导 1 2 .MOS 氧化层中缺陷相对源漏的位置.可将其用于对器件器件低频噪声是由栅氧化层内陷阱和沟道中载流子