ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率.PDF

第35卷摇 第5期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾5 2014年5月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE May,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)05鄄0613鄄05 ITO表面粗化提高 GaN基LED芯片出光效率 * 胡金勇,黄华茂 ,王摇 洪,胡晓龙 (华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心,广东 广州摇 510640) 摘要:使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效 率是产业界重要的研究课题。 本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了 LED芯片的输出光功率。 输入电流为20 mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功 率提升11.4%,但正向电压升高0.178 V;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2%,正向电压仅升高 0.044 V。 小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率。 大电流注入时,这种 结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重。 经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注 入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作。 关摇 键摇 词:LED;ITO;表面粗化;出光效率 + 中图分类号:TN304.2 3摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0613 Light鄄output Enhancement of GaN鄄based Light鄄emitting Diodes with Surface Textured ITO * HUJin鄄yong,HUANG Hua鄄mao ,WANG Hong,HU Xiao鄄long (Engineering Research Centerfor Optoelectronics of Guangdong Province,Department of Physics,School of Science, South China University of Technology,Guangzhou510640,China) *Corresponding Author,E鄄mail:schhm@ Abstract:The sophisticatedtechniquesof photolithography and wet鄄etching are used to fabricate GaN鄄 based LEDchipswith surface鄄textured ITOlayer to enhance the light output efficiency. It isshownthat the light鄄output powercanbeefficientlyimprovedbythissurface鄄texturedmethod. Afterthetriangle鄄lat鄄 tice of close鄄packed micro鄄holesarefabricated,the light鄄output power of LEDchipsunder the injection current of20 mAexhibits 11.4% enhancement comparingtothe conventional L