蓝紫色ld的远场特性仿真分析 far-field characteristics simulation analysis of blue-violet ld.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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蓝紫色ld的远场特性仿真分析 far-field characteristics simulation analysis of blue-violet ld.pdf

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蓝紫色ld的远场特性仿真分析 far-field characteristics simulation analysis of blue-violet ld

2011年1,q 电子测试 Jam2011 第1期 ELECTRONICTEST No．1 蓝紫色LD的远场特性仿真分析郭文文 (南京邮电大学通信与信息工程学院江苏南京210003) 摘要：本文介绍了半导体激光器的发展过程和应用领域，以及基本工作原理。对蓝紫色半导体激光器的基本结构和远场特性进行了描叙，给出了远场模场表达式，计算出基于亥姆霍兹方程的严格远场解。根据远场模得到了蓝紫色LD的V～I特性图、P—I特性图、能带图、发散角图及远场特性图，并对结果进行了分析，最后得出了结沦，对蓝紫色LD的实际应用有及其重要的指导作用和现实依据。关键词：半导体激光器；蓝紫色LD；远场特性；量子阱中图分类号：TN248．4文献标识码：A of Far。_l-fieldcharacteristicssimulation analysis blue-violetLD Gno Wenwen andInformation ofPostsand (Communication Univercity Telecommunications，Na匈mg Engineering，Naming 210003，China) basic Abstract：Thisintroducethe and ofsemiconductorlaser，andthe principle paper developmentapplications laseriSalso basicstructureandfir-fieldcharacteristicsofblue—violetLDare ofsemiconductordiscussed．Then，the described。andfar—fieldmodel are far—fieldrootis tOthefar—fieldroot expressionsgiven，strict calculated．According far—fieldmodel thesimulationsoftwareLASTIPof far—field and Crosslight expressions，andusing company，the are thentheI—V band characteristicsofInGaNLD simulated。and curve，P—V curve，energycurve，divergence盏．gle andfarfieldcharacteristicsar