宽禁带半导体关键设备技术及发展 a review on wide band-gap semiconductor key-equipment technologies and development.pdfVIP

宽禁带半导体关键设备技术及发展 a review on wide band-gap semiconductor key-equipment technologies and development.pdf

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宽禁带半导体关键设备技术及发展 a review on wide band-gap semiconductor key-equipment technologies and development

宽禁带半导体关键设备技术及发展 颜秀文,武祥 1 (中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙41011) 摘 要:宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半 导体器件发展面临的设备问题.重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子 注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带 半导体设备技术的未来发展趋势。 关键词:宽禁带半导体;碳化硅;氮化镓;离子注入机;关键设备 中图分类号:TN305 文献标识码:A AReviewonWide Semiconductor Band-Gap and TechnologiesDevelopment YANXiuwen.WU Xiang 41 11 48mResearchInstituteof 0 (The 1,China) CETC,Changsha band semiconductor are the of Abstract:Wide gap equipmenttechnologiessupporteddevelopments are aboutwideband semiconductor Widebanddevices.The introduced equipment gap problems gap on inthis arefocusedthesiliconcarbide technologiespaperbriefly.Key-equipments crystalgrowth carbide fumace,siliconcarbideion and nitride fumace,silicon epitaxialgrowth implantergallium MOCVD,whichis inwidebandsemiconductordevices inour restricting gap technologydevelopment outthewidebandsemiconductor trendin country.Itpointed gap equipmenttechnologiesdevelopment thefuture. nitride;Ion semicond

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