厚膜用铂银导体性能研究.pdf

维普资讯 第 19卷 第2期 Vo1．19 b,IO．2 厚 膜 用 铂 银 导 体 性 能 研 究 董永平 潘 英 (中国电子科技集团公司第43研究所， 合肥 230022) 摘 要；本文主要介绍厚膜用铂银导体的主要性能，以及在稳恒电场环境下可能的电迁移和 离子迁移现象试验结果，另外对铂银导体的表面成分进行了分析，并对其使用提出了建议。 关■词；厚膜 铂银导体 电迁移 离子迁移 1 引育 试验结果与分析：通过以上方法测得铂 在厚膜混合集成电路中，可焊接类贵金 银导体的方阻为 2．2mD．／D／12Pro，结果显示铂 属导体主要包括钯银、银、铂钯金、铂银等 银导体导电性能优 良。 浆料，其中钯银浆料是应用最多的1【]，与钯 2．2膜层附着力性能 银类导体相 比，铂银导体具有更低的电阻 有两种常用的试验用于测量厚膜导体对 率，更好的抗热震性能，因而在大功率、大 陶瓷基片或对介质层的附着强度一拉力附着力 和剥皮附着力[4]，本试验测试剥皮附着力。 电流和对环境温度要求更苛刻的电路中，铂 银导体 比钯银导体能得到更好的电性能和 试验方法：将直径约为 0．8mm 的镀银铜 工艺性能。但是，据很多文献报道L2J，银有 线一端焊接在2mmx2mm的方形焊盘上，线 易迁移的问题，铂银导体同样可能存在迁移 的另一端距焊盘约 lmm处弯成90度，用拉 的现象，因而，铂银导体的使用应慎之又慎。 力计测试导体膜层剥落时的拉力值。 试验结果与分析：对可焊接类导体来 2 铂银导体的一般性能 说，其烧结好的膜层剥落力主要与考核条 铂银导体的一般性能包括：导电性能、 件、基片类型、膜层厚度、烧结参数等因素 与基片的膜层附着力性能、可焊性、抗焊料 有关，膜层剥落力的衰减也不一样。图1是 浸蚀性能、与其他浆料的工艺兼容性能、抗 不同膜厚的铂银导体在 150℃高温储存后膜 热震性能等，下面对各个性能的试验测定和 层附着力随时间的衰减 曲线，其中基片为 结果进行说明。 96％ A1203。 2．1导 电性能 从图 1可看出，在一定的工艺条件下， 试验方法： 用四端法测试方形烧结好 铂银导体 (150℃，960h)高温储存后膜层 的铂银导体两端电阻值，由于铂银导体电阻 剥落力受厚度影响较大，在 15~tm厚度左右， 率较小，为消除误差影响，一般导体的长宽 剥落力平均值一般能满足H级电路要求。 比值不小于 100。 2．3可焊性、抗焊料浸蚀性能 ·15 ·