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第7章 光伏电池硅片加工技术 周潘兵 zhoupanbing@ 南昌大学材料科学与工程学院 内容 11.1 硅片加工后的几何尺寸参数 11.2 硅片加工几何尺寸要求 11.3 硅晶片的加工过程及质量控制 硅片的直径、截面尺寸和厚度 直径Φ：通过硅片表面中心且两个端点都在圆周上的直线长度。 -单晶硅（IC） 截面尺寸：边长×边长 。-多晶硅、单晶硅 厚度（THK ）：指通过硅片表面上一给定点垂直于表面方向穿过晶 片的距离，一般指通过硅片表面中心点的厚度。 厚度THK 直径Φ 晶片的总厚度偏差（TTV ） TTV是指晶片最大与最小厚度之差。 TTV = a - b b a 业内通常称TTV不合格的硅片为TTV片 翘曲度（Warp ） 定义：参考平面至硅片中心平面最大距离与最小距离之差。 Warp=2, TTV=0 Warp=3.5, TTV=0 Warp=2.5, TTV=2 弯曲度（Bow） 指硅片表面处于自由状态下整个硅片中心平面的 凹凸变形大小的量值。 硅片弯曲度量值定义为： Bow= (a - b)/2 弯曲度的测量 粗糙度 泛指晶片表面轮廓高低起伏的度量值。 平均粗糙度R : 指求值长度L内相对于中心线（平均线），表面轮 a 廓高度偏差的平均值。 均方根微粗糙度R : 指表面轮廓高度在求值长度L内得出的相对于 q 中心线的表面轮廓高度偏差的均方根值。 11.1 硅片加工后的几何尺寸参数 11.2 硅片加工几何尺寸要求 11.3 硅晶片的加工过程及质量控制 硅片加工几何尺寸要求 光伏电池用硅片的加工几何尺寸要求国内还没统一的国家标准。 太阳能硅片加工企业根据客户要求一般都制定了企业产品标准。 目前国内的加工水平： 一般情况： 表面损伤层≤15.0μm，TTV ≤20.0μm，Warp ≤15.0μm 优化工艺： 表面损伤层≤10.0μm，TTV ≤15.0μm，Warp ≤10.0μm 硅片加工几何尺寸要求 半导体器件用单晶硅片 GB /T 12965 -2005 产品 硅片直接/mm 50.8 76.2 100 125 150 200 名称 直径允许偏差/mm ±0.4 ±0.5 ±0.5 ±0.3 ±0.3 ±0.2 硅片厚度（中心点）/μm ≥260 ≥220 ≥340 ≥400 ≥500 ≥600 厚度允许偏差/μm ±15 ±15 ±15 ±15 ±15 ±15 切 总厚度变化（TTV ）/μm 割 10 10 10 10 10 10 不大于 片 翘曲度（Warp ）/μm 不大于 25 30