氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率 hot phosphoric acid etch rate to si3n4 in wet etching.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率 hot phosphoric acid etch rate to si3n4 in wet etching.pdf

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氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率 hot phosphoric acid etch rate to si3n4 in wet etching

技术专栏 Technolo科COl衄n 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率肖方1’2，汪辉1，罗仕洲2 (1．上海交通大学微电子学院，上海200030； 2．中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，上海201203) 摘要：在半导体湿法蚀刻中，热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺，实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发，分析了影响蚀刻率的各个因素，并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术，介绍了如何对相关因素进行控制调节，为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向。关键词：热磷酸；湿法蚀刻；蚀刻率；氮化硅中图分类号：TN305．7文献标识码：A Hot AcidEtchRateto inWet Phosphoric Si3N4 Etclling ⅪAO Shi．zhou2 Huil，LUO FaIl91一，WANG 200030，‰； (1．scl|lDoz矿Mi删e￡喇阳，如，鼽彻曲面胁细曙功出哪妙，s^∞咖i 2．蜘诎珏Dr M锄I扣胁耐r|g砌舭，以cD耻粕砌n，黼∞g^耐201203，c^轨口) Abst腿ct：IIl hot isu9ed w眦etchingproce鸥of鸵mic明ductorⅡ啪uf如turing，tllepho叩horic∞id for is di伍clIltt0contmlhot etchrateto iIl widelySi3N4陀moveproc鹤8．hvefy ph∞phoric si3Njpmctice． t0 of acid fhcto鹅tllatwould etchmle hot etchingsi3Nj，the aff：ect Acco耐ingdle艘ti仰principlepho叩horic 锄d thee伍ects0f Based伽tlIe was珊mlyzed， tlle∞fhcto玛we坨al∞analyzedtllr叫ghe可圯ri眦nts． iII howtocontlDl蛐dcorrelatIef如t0玛懈 technolog)rtllat印pliedproducti蚰诵dely毗pre∞nt， adjust to sta：blehot etchnnewas introduced，n他wayget ph08phoric giVen． words：hot Key pho叩hodc∞id；wetetchiIlg；；etchmte；Si3N4 的蚀刻率对于Si3N4湿法蚀刻工艺非常重要。图1 1