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第四章 器件制备基础 4.1 制备过程 1、清洗 2、氧化 3、扩散或离子注入 4、光刻 5、薄膜沉积 1、清洗 常用硅片清洗液 Ⅰ号液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7 使用条件：80?5?C，煮10分钟 作用：去油脂，去光刻胶残膜，去金属离子和金属原子 Ⅱ号液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8 使用条件：80?5?C，煮10分钟 作用：去金属离子和金属原子 Ⅲ号液：配方：H2SO4：H2O2=3：1 使用条件：120?10?C，煮15分钟 作用：去油脂，去腊，去金属离子和金属原子 2、氧化 干氧：Si+O2=SiO2 膜层致密，理想的Si-SiO2界面，生长速度慢 湿氧：Si+2H2O=SiO2+2H2 生长速度快，膜层致密性较差 2、氧化 2、氧化 3、扩散 3、扩散 3、扩散 扩散温度900-1200?C。 P源：POCl3, B源：BN，BO3 一般分为预扩散和再扩散 预扩散后： 4、光刻 （1）涂胶 （2）坚膜 （3）掩膜板 （4）瀑光 （5）显影 负光刻胶：光照后发生聚合反应，难以去除 正光刻胶：光照后，感光剂发生分解，容易去除。 5薄膜沉积 二、pn结二极管的制备 二、pn结二极管的制备 * * 氧化系统的简单说明图 （100）面和（111）面SiO2的氧化生长曲线 基本工艺流程 4.5 磷的液态源扩散示意图 再扩散后 *