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模板法制备CdSe 纳米线及其光学性质的研究.PDF
第43 卷 第2 期 稀有金属材料与工程 Vol.43, No.2
2014 年 2 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING February 2014
模板法制备CdSe 纳米线及其光学性质的研究
曾 云,苏轶坤,吴喜明,汤皎宁
(深圳大学 深圳市特种功能材料重点实验室,广东 深圳 5 18060)
摘 要:利用恒电位沉积方法,在阳极氧化铝(AAO)模板里沉积了CdSe 纳米线。对其进行了结构和光学性质的表征,
并且用循环伏安法讨论了其沉积机理。结果表明:室温下,0.1 mol·L- 1CdSO + 0.25 mol·L- 1H SO + 50 mmol·L- 1 SeO 配
4 2 4 2
比的溶液,0.4 V 恒电位沉积,在AAO 模板中制备出了CdSe 纳米线。EDS 的结果表明Cd 和 Se 的化学计量比接近于
1:1;通过XRD 确定了所沉积的CdSe 为面心立方结构,其择优取向为( 111) 晶面。紫外可见分光光度计吸收光谱表明其
吸收范围在400~700 nm ,吸收最大处在500 nm ,PL 发射谱表明CdSe 纳米线的发光峰在400 nm 左右。
关键词:电沉积;半导体;CdSe 纳米线
+
中图法分类号:O612.6 ;O614.24 2 文献标识码:A 文章编号:1002- 185X(2014)02-0413-05
近年来,一维半导体纳米线被人们广泛的研究,
1 实 验
半导体纳米材料由于其独特的性能使其在高密度存
[1] [2] [3] [4] [5]
储 、记忆 、光电子 、传感器 、发光器件 和太 3CdSO .8H O( 分析纯) 天津市科欧化学试剂开发
4 2
[6]
阳能电池 等方面有广泛的应用。目前已经有许多半 中心,SeO (分析纯)上海晶纯试剂有限公司,浓硫酸
2
导体纳米材料被人们研制出来,例如ZnO[7] 、CdS8、 (分析纯)广东市东红化工厂,实验中用去离子水来
CdSe9 、CoSe等纳米线。CdSe 半导体纳米线研究 配制溶液。
被人们特别的关注,因为 CdSe 块体材料的禁带宽度 实验所用到的设备:电化学工作站(CHI660A ,
约为 1.74 eV ,为直接带隙半导体材料,其光电转换效 上海辰华);能谱仪EDS (HITACHI-S3400,Japan );
率高,而且具有荧光效应。CdSe 纳米线的禁带宽度会 X- 射线衍射仪(XRD )(德国布鲁克 AXS 公司,
随着其尺寸的减小逐渐的蓝移,最后可以通过调节纳 COMPexpro205 )扫描角度20°~80°;高分辨扫描电子
米线的尺寸来调节 CdSe 纳米线发光峰的位置,因此 显微镜(SEM)(SU-70 ,HITACHI
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