模板法制备CdSe 纳米线及其光学性质的研究.PDF

第43 卷 第2 期 稀有金属材料与工程 Vol.43, No.2 2014 年 2 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING February 2014 模板法制备CdSe 纳米线及其光学性质的研究 曾 云，苏轶坤，吴喜明，汤皎宁 (深圳大学 深圳市特种功能材料重点实验室，广东 深圳 5 18060) 摘 要：利用恒电位沉积方法，在阳极氧化铝(AAO)模板里沉积了CdSe 纳米线。对其进行了结构和光学性质的表征， 并且用循环伏安法讨论了其沉积机理。结果表明：室温下，0.1 mol·L- 1CdSO + 0.25 mol·L- 1H SO + 50 mmol·L- 1 SeO 配 4 2 4 2 比的溶液，0.4 V 恒电位沉积，在AAO 模板中制备出了CdSe 纳米线。EDS 的结果表明Cd 和 Se 的化学计量比接近于 1:1；通过XRD 确定了所沉积的CdSe 为面心立方结构，其择优取向为( 111) 晶面。紫外可见分光光度计吸收光谱表明其 吸收范围在400~700 nm ，吸收最大处在500 nm ，PL 发射谱表明CdSe 纳米线的发光峰在400 nm 左右。 关键词：电沉积；半导体；CdSe 纳米线 + 中图法分类号：O612.6 ；O614.24 2 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2014)02-0413-05 近年来，一维半导体纳米线被人们广泛的研究， 1 实 验 半导体纳米材料由于其独特的性能使其在高密度存 [1] [2] [3] [4] [5] 储 、记忆 、光电子 、传感器 、发光器件 和太 3CdSO .8H O( 分析纯) 天津市科欧化学试剂开发 4 2 [6] 阳能电池 等方面有广泛的应用。目前已经有许多半 中心，SeO (分析纯)上海晶纯试剂有限公司，浓硫酸 2 导体纳米材料被人们研制出来，例如ZnO[7] 、CdS8、 （分析纯）广东市东红化工厂，实验中用去离子水来 CdSe9 、CoSe等纳米线。CdSe 半导体纳米线研究 配制溶液。 被人们特别的关注，因为 CdSe 块体材料的禁带宽度 实验所用到的设备：电化学工作站（CHI660A ， 约为 1.74 eV ，为直接带隙半导体材料，其光电转换效 上海辰华）；能谱仪EDS （HITACHI-S3400，Japan ）； 率高，而且具有荧光效应。CdSe 纳米线的禁带宽度会 X- 射线衍射仪（XRD ）（德国布鲁克 AXS 公司， 随着其尺寸的减小逐渐的蓝移，最后可以通过调节纳 COMPexpro205 ）扫描角度20°~80°；高分辨扫描电子 米线的尺寸来调节 CdSe 纳米线发光峰的位置，因此 显微镜(SEM)(SU-70 ，HITACHI