化学腐蚀法制备荧光多孔硅及对Ag 的检测.PDF

第37卷摇 第6期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾37 No郾6 2016年6月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE June,2016 文章编号:1000鄄7032(2016)06鄄0662鄄07 + 化学腐蚀法制备荧光多孔硅及对 Ag 的检测 1 1 1 1 2 * 熊小莉 ,薛摇 康 ,尤摇 超 ,纪煜垚 , 肖摇 丹 (1. 四川师范大学 化学学院,四川 成都摇 610068;摇 2. 四川大学 化学学院,四川 成都摇 610065) 摘要:采用简便的化学腐蚀法在45 益下制备了橘红色荧光多孔硅(PS),通过扫描电镜(SEM)、红外光谱 + (FT鄄IR)和比表面积(BET)对PS的结构进行了表征。 研究发现,Ag 能在PS上发生氧化沉积而猝灭荧光。 + + 基于此,建立了一种快速、灵敏检测Ag 的新方法。 在优化实验条件下,Ag 浓度与PS 的荧光强度在4.5 伊 -8 -7 -8 10 ~6.6伊10 mol/ L范围内呈良好的线性关系,检测限为2.2伊10 mol/ L,线性相关系数为0.9914。 该 + 方法用于水样中Ag 的检测,结果满意。 关摇 键摇 词:化学腐蚀法;多孔硅;荧光;Ag+ 中图分类号:O482.31摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0662 Preparation of Fluorescent Porous Silicon by Chemical Etching Method + and Its Application in Ag Detection 1 1 1 1 2* XIONG Xiao鄄li ,XUE Kang ,YOU Chao ,JI Yu鄄yao ,XIAO Dan (1. College of Chemistry andMaterials Science,Sichuan Normal University,Chengdu610068,China; 2. School of Chemistry,Sichuan University,Chengdu610065,China) *Corresponding Author,E鄄mail:xiaodan99@ Abstract:Afacilepreparationoforangefluorescentporoussilicon (PS)wasreportedusingasimple chemical etchingmet