高感度歪検出素子.PDFVIP

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2017-07-28 发布于江苏
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高感度歪検出素子.PDF

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高感度歪検出素子

Strain Sensor Element with High Sensitivity Hideya Yamadera, Yuji Nishibe ε = 2 10-3 (SI) SI 115MHz 0313 1000 λ = –6 10-6 Co73Si12B15 SI 115MHz A strain sensor element utilizing the inverse impedance Z, inductance L or resistance R in the range from -3 magnetostrictive effect and magneto-impedance effect was 1 MHz to 15 MHz. By applying strain (ε = 2 10 ), the developed, and the strain-impedance properties of the element impedance dramatically changed due to the change in were investigated. The Strain-Impedance (SI) element permeability of the magnetostrictive layers. The maximum constructed from a CoSiB/Cu/CoSiB layered film was gauge factor, Gmax, which was defined as the maximum prepared on a Corning No. 0313 glass substrate by magnetron fractional change in impedance to strain, (∆Z/Z)/ε, was 1500 sputtering under a magnetic field. The Co73Si12B15 negative 2000 at 115 MHz. These values are much larger than those o