硅基支撑系统的光刻工艺＊.pdfVIP

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2017-08-16 发布于天津
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第卷第期强激光与粒子束年月文章编号硅基支撑系统的光刻工艺罗跃川张继成中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳摘要为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度用正交试验分析了前烘曝光显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络对主要工艺参数进行了进一步的分析预测和优选并用实验加以验证最终得到在胶厚约时前烘温度时间曝光时间显影温度时间时光刻后图形的线宽偏差最小达到了以下关键词硅基支撑系统光刻线宽偏差正交试验

第卷第期强激光与粒子束，２４１１Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．１１　　年月，