量子线的子带结构和光学增益Ξ - CORE.PDF

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量子线的子带结构和光学增益Ξ - CORE

第21卷 第1期 固体电子学研究与进展 V o l. 21,N o. 1              2001 年 2 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE Feb. , 2001 量子线的子带结构和光学增益 InGaA s InP 何国敏 郑永梅 王仁智 刘宝林 ( 厦门大学物理系, 361005) 收稿,收改稿 摘要: 采用有效质量理论 6 带模型, 计算了 量子线的光学性质, 具体计算了 In Ga A s InP 0. 53 0. 47 量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱, 并把量 In Ga A s InP 0. 53 0. 47 子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。 关键词: 有效质量理论; 量子线; 光学增益 中图分类号: O 471. 5  文献标识码:A   文章编号:(2001) Valence Subband Structure and Optical Ga in of InGaA s InP Quan tum W ire       H E Guom in ZH EN G Yongm ei W AN G R enzh i L IU Bao lin ( . . , 361005, ) D ep t of P hy s X iam en U niversity CH N : 6 , Abstract In the fram ew o rk of band effective m ass theo ry the op tical gain of 0. 53 0. 47 . , In Ga A s InP quan tum w ire are studied T he valence subband structu re den si ty of states, carrier den sity, op tical tran siti

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