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量子线的子带结构和光学增益Ξ - CORE
第21卷 第1期 固体电子学研究与进展 V o l. 21,N o. 1
2001 年 2 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE Feb. , 2001
量子线的子带结构和光学增益
InGaA s InP
何国敏 郑永梅 王仁智 刘宝林
( 厦门大学物理系, 361005)
收稿,收改稿
摘要: 采用有效质量理论 6 带模型, 计算了 量子线的光学性质, 具体计算了
In Ga A s InP
0. 53 0. 47
量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱, 并把量
In Ga A s InP
0. 53 0. 47
子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。
关键词: 有效质量理论; 量子线; 光学增益
中图分类号: O 471. 5 文献标识码:A 文章编号:(2001)
Valence Subband Structure and
Optical Ga in of InGaA s InP Quan tum W ire
H E Guom in ZH EN G Yongm ei W AN G R enzh i L IU Bao lin
( . . , 361005, )
D ep t of P hy s X iam en U niversity CH N
: 6 ,
Abstract In the fram ew o rk of band effective m ass theo ry the op tical gain of
0. 53 0. 47 . ,
In Ga A s InP quan tum w ire are studied T he valence subband structu re den si
ty of states, carrier den sity, op tical tran siti
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