CSD19531Q5A 100V N 通道NexFET 功率金属氧化物 - 德州仪器.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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Product Sample Technical Tools Support Folder Buy Documents Software Community CSD19531Q5A ZHCSBK7B – SEPTEMBER 2013 – REVISED MAY 2014 CSD19531Q5A 100V N 通通道道NexFET™ 功功率率金金属属氧氧化化物物半半导导体体场场效效应应晶晶体体管管(MOSFET) 1 特特性性产产品品概概要要 1 • 超低Qg 和Qgd TA = 25°C 典典型型值值单单位位 • 低热阻 VDS 漏源电压 100 V • 雪崩额定值 Qg 栅极电荷总量(10V) 37 nC • 无铅端子镀层 Qgd 栅漏栅极电荷 6.6 nC • 符合 RoHS 环保标准 VGS = 6V 6.0 mΩ RDS(on) 漏源导通电阻 • 无卤素 VGS = 10V 5.3 mΩ • 小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm 塑料封装 VGS(th) 阀值电压 2.7 V 2 应应用用范范围围