反射式变掺杂负电子亲和势gan光电阴极量子效率研究 - 物理学报.pdfVIP

反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究 乔建良 徐源 高有堂 牛军 常本康 Quantumefficiencyforreflection-modevarieddopingnegative-electron-affinityGaN photocathode QiaoJian-Liang XuYuan GaoYou-Tang NiuJun Chang Ben-Kang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,067903(2017) DOI: 10.7498/aps.66.067903 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.067903 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I6 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 加载功率与壳温对AlGaN/GaN 高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响 Influence of power dissipation and case temperature on thermal resistance of AlGaN/GaN high-speed electronmobilitytransistor 物理学报.2016,65(7): 077201 /10.7498/aps.65.077201 金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究 Room-temperature thermoelectric properties of GaN thin films grown by metal organic chemical vapor deposition 物理学报.2015,64(4): 047202 /10.7498/aps.64.047202 量子局域效应和应力对GaSb纳米线电子结构影响的第一性原理研究 First-principles study of effects of quantum confinement and strain on the electronic properties of GaSb nanowires 物理学报.2015,64(22): 227303 /10.7498/aps.64.227303 AlN插入层对Al Ga N/GaN界面电子散射的影响 EffectofinsertedAlNlayeronthetwo-dimensionalelectron gas in Al Ga N/AlN/GaN 物理学报.2015,64(19): 197303 /10.7498/aps.64.197303 界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响 EffectofinterfacenucleationtimeoftheGaNnucleation layer on thecrystal quality of GaN film 物理学报.2015,64(12): 127305 /10.7498/aps.64.127305 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 6 (2017) 067903 反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极 量子效率研究 乔建良 徐源 高有堂 牛军 常本康 1)(南阳理工学院电子与电气工程学院, 南阳 473004) 2)(南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094) ( 2016 年10 月8 日收到; 2016 年11 月23 日收到修改稿) 从变掺杂负电子亲和势(NEA) GaN 光电阴极材料的光电发射机理入手, 给出了反射式变掺杂NEA GaN 光电阴极内建电场和量子效率的计算公式. 利用初步设计的变掺杂NEA GaN 光电阴极, 介绍了变掺杂NEA GaN 阴极的激活过程和激活光电流的变化特点. 结合国内外典型