电沉积aginse2应用于敏化太阳能电池之研究许维中1 何宜璟1 张家硕 .docVIP

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2017-09-06 发布于天津
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電沉積AgInSe2本論文以電沉積方式於ITO及ITO-TiO2上成長AgInSe2，討論其物理性質並應用於半導體敏化式太陽能電池之研究。由XRD分析可知在-1.25V(vs MSE)的還原電位下電沉積In(NO3)3、AgNO3及SeO2的混合液45min之樣品經250真空煅燒可成功成長AgInSe2晶相。若煅燒溫度太低(150)，則樣品中Ag2Se的濃度高，若溫度高(350以上)，則成份Se會脫離樣品。沉積電位太低(-0.6V vs MSE)則樣品以雙成份Ag-Se及In-Se的化合物為主；約在-1.0V 以上(vs MSE)，AgInSe2的生成才明顯。由XRD分析顯示除了AgInSe2

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