LED芯片制造相关专利简介.pdfVIP

中 国照 明 电 器 34 CHINA LIGHT＆LIGHTING 2012年第2期 LED芯片制造相关专利简介 谢 菡 摘编 Brief Introduction of the Patents about LED Chip Development Extracted by Xie Han LED的出光效率和内量子效率，获得较高的光输出 1 一种结构改良的 LED芯片 功率。 公开(公告)号：CN102148309A 3 具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法 摘要：本发明涉及LED制备技术领域，尤其涉及一种 结构改良的LED芯片。本发明所述的一种结构改良 公开(公告)号：CN102280550A 的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、 摘要：本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯 N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述衬底 片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延 的下方层叠设置有反射镜，反射镜与衬底之间分布有 层的透明衬底，该衬底具有台阶形结构，且至少衬底 颗粒状的银粒子，银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表 侧边上部为与竖直方向成 10～45。夹角的倾斜边。 面，银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方 该方法为：首先以彼此之间成20～9O。夹角的两束激 的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜，相对于单 光自衬底背面倾斜切人衬底至第一设定深度，且形成 一 金属反射镜或者介电质反射镜而言，该复合反射镜 的两条倾斜切痕彼此无交叉；其后以平行排布在两条 具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线 倾斜切痕之间的多束激光垂直切人衬底至第二设定 由镜面反射状态变成漫反射状态，漫反射可以增加透 深度，从而在衬底上形成Y型切槽，该第二设定深度 出本发明的出光面的光线；所以，本发明能够有效地 大于第一设定深度；最后以一束激光自切槽槽底垂直 提高出光效率并最终提升照明亮度。 切穿衬底和生长于衬底正面的外延层，将相邻 LED 芯片自预定分割位置分离。本发明LED芯片结构简 2 基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装 单，发光效率高，且其制备工艺简便高效，无需裂片操 LED芯片 作，成本低廉，良品率高。 公开(公告)号：CN102157654A 摘要：本发明公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐 4 一种LED芯片 变缓冲层的倒装 LED芯片，该芯片自上而下由上下 公开(公告)号：CN102142495A 表面均匀分布 10 ～l0 个凹孔的蓝宝石衬底、由k 摘要：本发明公开了一种LED芯片，所述的LED芯片 个非掺杂AJ Ga 一 N外延材料构成的单元层组成的 的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。配合 Al Ga 一 N组分渐变缓冲层、n型 GaN外延层、 蓝宝石基底的解理面分布性质制造出的LED芯片为 InGaN／GaN多量子阱、P型 GaN层、透明ITO导电薄 正三角形，而且无论是小芯片的图形电极设计还是大 膜、倒装焊电极及硅衬底组成。本发明采用凹孔结构 芯片图形电极设计，电极都平行于LED芯片的侧边。 提高LED出射光的出射几率，增加衬底的散热