Insb材料的表征 - 激光与红外.PDF

第４６卷　 第５期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．５ 　 ２０１６年５月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｍａｙ，２０１６ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１６）０５０５２２０５ ·综述与评论 · ＩｎＳｂ材料的表征 计雨辰，王小龙 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：ＩｎＳｂ为直接带隙半导体材料，禁带宽度７７Ｋ时为０２３２ｅＶ，在３～５ ｍ红外探测器 μ 上有着重要的应用。本文介绍了ＩｎＳｂ晶体材料应用及制备的发展情况，对ＩｎＳｂ材料的晶体 结构、热学性质、机械性能、光学性质和电学性质的表征进行了叙述。根据ＩｎＳｂ材料的基本特 性，对其制备发展过程中将可能出现的问题和研究方向进行了预测。 关键词：ＩｎＳｂ；半导体；材料表征 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１６．０５．００２ ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＩｎＳｂｍａｔｅｒｉａｌ ＪＩＹｕｃｈｅｎ，ＷＡＮＧＸｉａｏｌｏｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＩｎＳｂｉｓａｄｉｒｅｃｔｂａｎｄｇａｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌ，ａｎｄｉｔｓｅｎｅｒｇｙｇａｐｉｓ０２３２ｅＶａｔ７７Ｋ，ｓｏｉｔｉｓａｖｅｒｙｉｍ ｐｏｒｔａｎｔｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒ３～５ ｍｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓＴｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＩｎＳｂｍａｔｅｒｉａｌｉｓｉｎｔｒｏ μ ｄｕｃｅｄＴｈｅｃｒｙｓｔａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｔｈｅｒｍａｌｐｒｏｐｅｒｔｙ，ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｙ，ｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｙｏｆＩｎＳｂ ａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄＴｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｎｄｐｏｓｓｉｂｌｅｄｉｆｆｉｃｕｌｔｉｅｓｉｎＩｎＳｂｍａｔｅｒｉａｌｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｒｅｐｒｅｄｉｃｔｅｄａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏ ｉｔｓｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂ；ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｍａｔｅｒｉａｌ １　引　言 现的。ＩｎＳｂ材料由于其军事上的应用，很少有制备 ［１］ 技术相关的报道，目前，国外公开报道的ＩｎＳｂ单晶 自１９５２年Ｗｅｌｋｅｒ 发现ＩＩＩ－Ｖ族化合物的半 导体材料特性后，人们逐渐对 ＩＩＩ－Ｖ族化合物，尤 直径最大为６ｉｎ、氧化层厚度小于２０?，总体厚度变 ［２］ 化小于 ７ ｍ，可用于制备中波焦平面红外探 其是ＩｎＳｂ材料的性质展开研究 。ＩｎＳｂ的禁带宽 μ ［３］ ［６］ 度在７７Ｋ时为０２３２ｅＶ ，可用于制备３～５ ｍ 测器 。 μ 中波红外探测器，目前，ＩｎＳｂ探测器已由最早的单 ２　ＩｎＳ