103学年度电机资讯学院－电子与资讯基本能力会考-电资学院.PDF

103 學年度電機資訊學院－電子與資訊基本能力會考 系級： 系 年 班 學號： 姓名： 選擇題，共 60題 (每題2 分) ( A ) 1. p型半導體材料中的多數載子是 (A)電洞 (B)價電子 (C)傳導電子 (D)質子。 ( A ) 2. 要對二極體施加順向偏壓，必須 (A)外加電壓的正極接到二極體的陽極，負極接 到二極體的陰極 (B)外加電壓的負極接到二極體的陽極，正極接到二極體的陰極 (C)外加電壓的正極接到二極體的 n 型區，負極接到二極體的 p 型區 (D)答案 (A) ，(B)和(C)均可。 ( B ) 3. 下圖所示之電路為一個 (A)正向夾波器 positive clamper (B)正向剪波器 positive clipper (C)負向夾波器 negative clamper (D)負向剪波器 negative clipper 。 ( C ) 4. 如下圖的電容濾波整流器電路, 下列何種情況可讓輸出的漣波電壓變小 (A)電 阻 R 變小，電容 C 變大 (B)電阻 R 變大，電容 C 變小 (C)電阻 R 與電容 C 都變大 (D)電阻 R 與電容 C都變小。 ( A ) 5. 承上題，若降低輸入電壓的頻率，則輸出的漣波電壓將會 (A)變大 (B)變小 (C) 不變 (D)答案 (B)和(C)都有可能。 ( B ) 6. 在 p通道金氧半場效電晶體 (p-channel MOSFET)中， p 型區域是 (A)基極和射 極 (B)汲極和源極 (C)閘極和源極 (D)射極和集極。 ( C ) 7. 下圖所示為某一 MOSFET的電流 電壓特性曲線，則該電晶體為- (A)p通道空乏 型 (B)n通道空乏型 (C)p通道增強型 (D)n通道增強型。 i (mA) D VSG = 5.5 V VSG = 4 V VSG = 2.5 V VSG = 1 V 第 1 頁，共 9 頁 vSD (V) 2.2 ( C ) 8. 承上題，已知該電晶體在 V = 2.5 V時，汲極電流 i 由非飽和區過渡至飽和區 SG D 的 V 飽和電壓為 V (sat) = 2.2 V ，若欲讓i = 0 A ，則需取 (A) V = 0 V SD SD D SG (B) V = 0.2 V (C) V = 0.4 V (D)答案 (A) ，(B)和(C)均可。 SG