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课题:【】 【自主】【探究】 T↑→ρ↓→R↓→导电能力↑ () 如:Ge △T↑=10oC → ρ↓=50% 2、对光照辐射也很敏感 硫化隔:无光照 R很高、几十MΩ、导电能力_____. 有光照 R下降、几十KΩ、导电能力______ 此种现象称为光敏特性,利用此特性可制成光敏电阻、光电二极管三极管、太阳能电池等。 3、掺杂 在纯净的半导体中掺入微量杂质,可以显著改变它的_______能力。 三、半导体的两种载流子 一种是带负电的“________”(简称“____”),另一种是带正电的“______”(简称“____”)。 在外电场的作用下:电子形成_____电流,空穴形成____电流。“电子”和“空穴”统称为______。 注:金属导体只有一种载流子——____________,且数目很多;而绝缘体中无________。 四、半导体的分类 根据半导体内部两种载流子数量分布情况不同可分为: 纯净半导体(______半导体) P型半导体(______型半导体) N型半导体(______型半导体) 五、PN结的形成 在一块半导体晶片上,通过一定的生产工艺,使一边形成_____区,一边形成_______区,它们的结合处就形成了一个特殊的_______——称为PN结、势垒层、阻挡层。 六、晶体二极管 1、结构、符号 结构 核心:一个PN结 二个电极:_____(_____)、_______(______) ②、符号 2、二极管的导电性能 单向导电性:加_____的正向电压时导通,加反向电压时截止。 3、伏安特性 ⑴、定义:加在二极管两端上的电压和流过二极管的电流之间的关系。 ⑵、分类: 锗管:______ 门坎电压(死区电压) ①正向特性: 硅管:______ 锗管:______ 正向压降 硅管:______ ②反向特性: 反向饱和电流 硅管______锗管 反向击穿电压 硅管______锗管 电击穿:______反复使用 击穿 先______穿后______穿 热击穿:______反复使用 七、二极管的简单测试 1、原理:利用二极管的____________性 2、工具:万用表的“Ω”档______、______ 3、正、负极的判别 测量正反向电阻,比较两次电阻,阻值小的一次与黑表棒相接的是______。 4、二极管好坏的判别 如果两次电阻都很小,表明管子内部已______,如果两次电阻都很大,表明管子内部已______。出现短路或开路,管子已经______。 八、分类、型号、参数 1、分类 ⑴、以材料分:______、______ ⑵、以PN结面积分:______型(PN结面积小,只能通过______电流,通常用于高频电路中______波用) ______型(PN结面积大,能通过______的电流,通常用于整流电路中作______用) ⑶、以用途分:普通二极管、特殊二极管 2、型号 见附录(249页) 3、参数 ⑴ 最大整流电流______ :是二极管允许通过的最大正向工作电流______值,如实际工作时的正向电流平均值超过此值,二极管内的PN结可能会过分发热而损坏。 ⑵ 最高反向工作电压______:是二极管允许承受的反向工作电压峰值。为了留有余地,通常标定的最高反向工作电压是击穿电压的一半或三分之一。 ⑶ 反向漏电流______:是在规定的反向电压和环境温度下(例如在最高反向工作电压和25oC温度时)测得的二极管反向电流值。 这个电流值越______,二极管的单向导电性能越______。 【课堂】【课】 2

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