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第14章外延生长
第14 章 外延生长 第第 1144 章章 外外延延生生长长 第 14 章 外延生长 第第 1144 章章 外外延延生生长长 在单晶衬底上淀积单晶薄膜的工艺称为外延。集成电路中 外延 的各种器件通常就是做在外延层上的。 CVD 大多数的外延工艺都可利用各种 CCVVDD 技术来实现,例如 LPCVD、PECVD、快速热处理 CVD(RTCVD)、金属有机 LLPPCCVVDD PPEECCVVDD CCVVDD RRTTCCVVDD 物 CVD(MOCVD)、超高真空 CVD(UHVCVD),以及激 CCVVDD MMOOCCVVDD CCVVDD UUHHVVCCVVDD X CVD 光、可见光、XX 射线辅助 CCVVDD 等。有些外延工艺则可以利用 蒸发技术来实现,例如分子束外延(MBE)、离子束外延和 MMBBEE 离化团束外延等。 对外延膜质量的评价指标有:膜的厚度、组分、掺杂浓度 及其均匀性、缺陷密度等。 14.1 1144..11 清洗和自然氧化物去除 14.1 1144..11 清洗和自然氧化物去除 在许多工艺步骤之前,都必须对硅片进行清洗,以去除残 留杂质、颗粒和自然氧化层。外延之前的清洗尤为重要。 1 NH OH : H O : H O = 1 : 1 : 5 11 号清洗液( NNHH OOHH :: HH OO :: HH OO == 11 :: 11 :: 55)主要用于去 4 44 2 2 2 22 22 22 除各种有机化合物,也可去除各种金属杂质。 2 HCl : H O : H O = 1 : 1 : 6 22 号清洗液(HHCCll :: HH OO :: HH OO == 11 :: 11 :: 66)主要用于去除各 2 2 2 22 22 22
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