离子束增强沉积制备Li掺杂ZnO薄膜 - 常州大学学报.PDF

第 卷 第 期 常州大学学报 （自然科学版） ２６ １ Ｖｏｌ．２６Ｎｏ．１ 年 月 （ ） ２０１４ １ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈａｎｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ Ｊａｎ．２０１４ ｇ ｙ 文章编号： （ ） ２０９５－０４１１ ２０１４ ０１ ０００６ ０４ ? ? 离子束增强沉积制备 掺杂 薄膜 Ｌｉ ＺｎＯ 陈 强，张春渤，谢建生 　 （常州大学 数理学院，江苏 常州 ２１３１６４） 摘要：利用离子束增强沉积 （ ）法制备了 掺杂 薄膜 （ ），溅射靶为 ／ 原子比为 的陶瓷靶，实验结 ＩＢＥＤ Ｌｉ ＺｎＯ ＬＺＯ ＬｉＺｎ ５％ＺｎＯ 果显示： 法制备的 （ ）薄膜具有 纤锌矿结构，在 高纯氩气下退火 ，薄膜表现为 型导电，薄膜的最 ＩＢＥＤ ＬＺＯ ＺｎＯ ５００℃ ３５ｍｉｎ ｐ 低电阻率为 · ，制备的薄膜在可见光范围内的平均透过率在 以上， 型 薄膜禁带宽度小于本征 ３５．０３ ｃｍ ８０％ ＬＺＯ ＺｎＯ Ω ｐ （ ）。 ３．３７ｅＶ 关键词： 掺杂；离子束增强沉积；退火 Ｌｉ 中图分类号： 文献标识码： ： ／ ＴＮ２１ Ａ 犱狅犻 １０．３９６９ ．ｉｓｓｎ．２０９５－０４１１．２０１４．０１．００２ 　　　　 　　　　 ｊ 犔犻犇狅犲犱犣狀犗犜犺犻狀犉犻犾犿狊犘狉犲犪狉犲犱犫 犐狅狀 犅犲犪犿 狆 狆 狔 ? 犈狀犺犪狀犮犲犱犇犲狅狊犻狋犻狅狀犕犲狋犺狅犱 狆 ， ， ＣＨＥＮＱｉａｎ ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｂｏ ＸＩＥＪｉａｎｓｈｅｎ ｇ ? ? ｇ （ ， ， ， ） ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｓｉｃｓａｎｄＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ ＣｈａｎｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔ Ｃｈａｎｚｈｏｕ２１３１６４ Ｃｈｉｎａ ｙ ｇ ｙ ｇ ： 犃犫狊狋狉犪犮狋ＬｉｄｏｅｄＺｎＯｆｉｌｍｓｗｅｒｅ ｒｅａｒｅｄｏｎ ｌａｓｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｂ ｉｏｎ ｂｅａｍｅｎｈ