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关于论文《40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取 》的审稿人意见回复修改说明 尊敬的审稿专家和《四川大学学报》编辑老师： 您们好！ 非常感谢审稿专家和贵刊提出的宝贵建议！我们已参照该建议，分别在文中文字表达 欠通顺处进行了修改说明，使得文章更加通顺。具体的修改说明如下。 审稿人意见： 建议： 若干年前，场效应（MOS）晶体管模型主要用于开发数字和低频模拟电路设计，随着 工作频率提升到毫米波阶段，寄生元件的影响变得越来越显著，因此迫切需要可用于微波 电路设计和仿真的MOS晶体管简化电路模型。本文利用二端口网络分析方法对40纳米MO SFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取。仿真实验表明用本文方法提取的寄 生元件值和去嵌后的本征元件值与仿真及测试数据基本一致。论文对毫米波MOSFET 电路设计有一定的参考价值，可以录用发表。 论文有些地方文字表述欠通顺，建议返回作者做适当的修改后终审 修改说明： 1.引言部分：第1段：“电路理论中的二端口网络参数分析对集成电路系统、电路设计 和半导体器件的特性分析及应用都具有重要的价值。现代的集成电路对高集成度、低功耗和 工作频率的需求不断快速地提高，使得CMOS技术不断发展，然而对于产品设计来说，能够 [1-4] 精确预测MOS晶体管高频特性的有效简约模型值至关重要的 。”修改为 “电路理论中的 二端口网络对集成电路系统设计和半导体器件特性分析及应用都具有重要的价值。随着 CMOS技术的不断发展，对于集成电路设计来说，高集成度、低功耗和工作频率的需求也在 相应的提高。然而对于MOSFET器件设计来说，能够精确预测MOS晶体管高频特性的有效 [1-4] 简约模型是至关重要的 。” 第2段：“目前研究热点是65nm至180nm MOSFET在dc条件下的0～20GHz内强反 [5-9] 区特性 。但弱反区的工作能使系统的功耗显著降低，且毫米波频段的开放能带来更多应 用。”修改为“目前研究热点是65nm至180nm MOSFET在DC条件下0～20GHz内的强反 [5-9] 区特性 。但弱反区的工作能使器件的功耗显著降低，且毫米波频段的开放能带来更多应 用。” “因此本文重点研究基于40nm MOSFET弱反区小信号等效电路的器件物理模型，”修改 为 “因此本文重点研究是基于40nm MOSFET弱反区小信号等效电路的器件物理模型，” 第3段：“大多数商业可用的MOS晶体管模型起初开发用于数字和低频模拟电路设计， 聚焦于直流漏极电流、电导、本征电荷和本征电容的行为研究上。”修改为 “大多数商业可 用的MOS晶体管模型起初的开发是用于数字和低频模拟电路设计，聚焦于直流漏极电流、 电导、本征电荷和本征电容的行为研究上。” 第4段：“其中包含分别对输入导纳Y11和输出导纳Y22有重要影响的栅极串联电阻RG[12] 和衬底电阻。”修改为 “其中分别包含对输入导纳Y11和输出导纳Y22有重要影响的栅极串联 电阻RG[12]和衬底电阻。” 2.2 二端口MOSFET的Y参数分析部分： “由于晶体管工作在线性区且电路的等效结构模型是全对称型，使得Cgs大约等于Cgd 和R 的影响变得非常小以至于可以忽略；同时和R 、R 的影响比较，衬底网络的C 、C S D S sb db 效应也可以被忽略。”修改为“由于晶体管工作在线性区且电路的等效结构模型是全对称型， 使得C 大约等于C ；R 的影响也变得非常小以至于可以被忽略；同时相较于R 、R 的影 gs gd S D S 响，衬底网络的Csb、Cdb效应也可以被忽略。” “为获得表达式Y12和Y22，图1 （b）等效电路的栅极终端必须接地短路，所获得的等 效电路比较复杂，因此为了减小等效电路的复杂性就必须进一步简化电路。”修改为 “为获 得导纳Y12和Y22的数学表达式，图1 （b）等效