第6章储存[ 001 ].pptVIP

6.1 存储器概述 6.2 随机存取存储器(RAM) 6.3 只读存储器(ROM) 6.4 CPU与存储器的连接;6.1 存储器概述;内存（RAM+ROM）：半导体存储器(本章内容) 软盘：普通1.44M+可移动100MB 磁盘 硬盘：几十GB 光盘 CD-R、CD-R/W可擦写光盘 (650MB左右） 外存 磁光盘MO：高密度、大容量、快速、 “无限次”擦写、寿命长、可靠性高、 抗干扰强、性价比高 （1.3GB~几个GB，今后目标1TB）;6.1.2 半导体存储器的分类;半;6.1.3 半导体存储器的主要技术指标;2.存取速度 存取速度：从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。 存取速度通常以ns为单位，不同的存储器芯片，存取速度不相同 希望存储芯片容量大、速度高、体积小。;CPU寄存器;1、基本存储电路 6个MOS管组成 稳态触发器: V1、V2：放大管 V3、V4：负载管;2、静态RAM的结构;典型SRAM芯片;A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND;图6.3 6116管脚和功能框图;Intel 6116存储器芯片的工作过程如下： 读出： 地址线A10～A0送来的地址信号经译码后选中一个存储单元(其中有8个存储位)，由CS、OE、WE构成读出逻辑(CS=0，OE=0，WE=1)，打开右面的8个三态门，被选中单元的8位数据经I/O电路和三态门送到D7～D0输出。 写入： 地址选中某一存储单元的方法和读出时相同，不过这时CS=0，OE=1，WE=0，打开左边的三态门，从D7～D0端输入的数据经三态门和输入数据控制电路送到I/O电路，从而写到存储单元的8个存储位中。 当没有读写操作时，CS=1，即片选处于无效状态，输入输出三态门至高阻状态，从而使存储器芯片与系统总线“脱离”。; 6264、62256静态RAM的结构与6116相似，只是地址线不同而已。它们都是28个引脚的双列直插式芯片，使用单一的+5 V电源，它们与同样容量的EPROM引脚相互兼容，从而使接口电路的连线更为方便。 6264芯片还设有一个CS2引脚，通常接到＋5 V电源。 6264RAM可由备用电源供电，即可实现断电后长时间的数据保护。;抽屑砧喷柏欣受破叹椒陕既始广居迸陇踊灿琵奇茵巢瑞向检漫射屡容棚客第6章储存[ 001 ]第6章储存[ 001 ];6.2.2 动态RAM; NC;6.3 只读存储器（ROM）;原理：掩膜ROM 存 储 信 息 是 靠 MOS管是否跨接 来决定 0、1的 ， 当跨接MOS管 ， 对应位信息为0， 当没有跨接（被 光刻而去掉）， MOS的位置对应 的信息为1。 ;Vcc;2、典型EPROM芯片介绍;图6.11 2764A功能框图;表6-2 2764A的工作方式选择表;6.3.3 电可擦除可编程只读存储器E2PROM; 闪速存储器（Flash Memory） 也称快速擦写存储器或快闪存储器，是Intel公司首先开发，近年来发展起来的一种新型半导体存储器芯片。 它采用一种非挥发性存储技术，即掉电后数据信息可以长期保存，在不加电的情况下，信息可以保持10年。又能在线擦除和重写。Flash是由EEPROM发展起来的，因此它属于EEPROM类型。 （目前几乎所有主板中的BIOS ROM均采用Flash） ;以Intel2816为例;表6-3 2816的工作方式;PC机内存的组织;七、PC机内存的组织（续）;七、PC机内存的组织（续）;16位微机系统的内存组织;32位微机系统的内存组织;内存条的变迁;1G和2G的内存条;6.4 CPU与存储器的连接——存储器的扩展;6.4.1 连接时应注意的问题;3. 存储器组织、地址分配和片选 微机内存包括ROM区和RAM区，它们都由许多芯片组成，所以要安排地址空间，即地址分配； 每个存储器芯片的片内地址由CPU的低位地址来选择；若有多片芯片，还需要片选信号，它们由CPU的高位地址译码后得到，要考虑这些信号如何产生？ ;例如： Z80或8085CPU地址线为16根，寻址范围为64 KB。 Z80-TP801单板计算机的ROM区地址为0000H～1FFFH，这一区域存放监控程序等，用户区(RAM)地址为2000H以后。而IBM-PC机的ROM区却放