HGTG30N60C3D;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-07-05 发布于河南
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HGTG30N60C3D;中文规格书,Datasheet资料

HGTG30N60C3D Data Sheet January 2009 File Number 4041.2 63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features with Anti-Parallel Hyperfast Diodes o • 63A, 600V at TC = 25 C The HGTG30N60C3D is a MOS gated high voltage o • Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150 C switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input • Short Circuit Rating impedance of a MOSFET and the low on-state conduction • Low Conduction Loss loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25o o • Hyperfast Anti-Parallel Diode C and 150 C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode Packaging used in anti-parallel with the IGBT is the development type JEDEC STYLE TO-247 TA49053. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications E operating at moderate frequencies where low conduction C losses are essential.