受主掺杂BaPbO 3 陶瓷的缺陷结构Defect Structure of Acceptor.PDFVIP

下载本文档

6
0
约2.7万字
约 5页
2017-07-03 发布于天津
举报
版权申诉

受主掺杂BaPbO 3 陶瓷的缺陷结构Defect Structure of Acceptor.PDF

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

受主掺杂BaPbO 3 陶瓷的缺陷结构Defect Structure of Acceptor

2007 年第65 卷化学学报 Vol. 65, 2007 第16 期, 1600～1604 ACTA CHIMICA SINICA No. 16, 1600～1604 ·研究论文· 受主掺杂 BaPbO 陶瓷的缺陷结构 3 王歆*,a 陆裕东a,b 庄志强a (a 华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室广州 510640) (b 信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州 510640) 摘要采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10－12 5 ～10 Pa) 的变化曲线, 阐明了受主掺杂BaPbO3 的缺陷结构, 解释了材料的导电机理. 高氧分压下, Pb 离子空位缺陷占主导, 电荷补偿缺陷为空穴; 随着氧分压的下降, 材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变, 受主杂质成为主导缺陷, 电荷补偿缺陷为空穴; 在低氧分压下, 电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位. 受主掺杂浓度的下降, 导致高温电导率下降, 并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动, 同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动. 关键词 BaPbO3; 缺陷化学; 补偿缺陷; 受主; 平衡电导率 Defect Structure of Acceptor-doped BaPbO Ceramics 3 WANG, Xin*,a LU, Yu-Donga,b ZHUANG, Zhi-Qianga a ( Key Laboratory of Specially Functional Materials of Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640) (b National Key Laboratory for Reliability Physics and Its Application Technology of Electrical Component, The 5th Electronics Research Institute of the Ministry of Information Industry, Guangzhou 510640) Abstract The defect chemistry of BaPbO was