半导体器件辐射效应研究.pdfVIP

第 10 卷 第 6 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．10，No．6 2012 年 12 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Dec．，2012 文章编号： 1672-2892(2012)06-0748-06 半导体器件辐射效应研究 刘忠立 a,b ( 中科院 a.微电子研究所，北京 100029 ；b.半导体研究所，北京 100083) 摘 要 ：在回顾半导体器件辐射效应取得丰富研究成果的基础上，介绍近年来半导体辐射效 应研究的一些动向，其中包括航空及地面环境的单粒子效应、综合辐射环境下的辐射效应、化合 物半导体器件的单粒子效应、光电器件的辐射效应、功率半导体器件的辐射效应、绝缘体上硅 (SOI)CMOS 集成电路的辐射效应及混合信号电路辐射加固设计技术，给出了一些典型的研究结果， 并指出在这些效应方面应该继续研究的方向。 关键词 ：半导体器件；抗辐射加固；研究动向 中图分类号 ：TN386.1 文献标识码：A Research trends of radiation effects in semiconductor device LIU Zhong-lia,b (a.Institute of Microelectronics ，CAS，Beijing 100029，China；b.Institute of Semiconductors，CAS，Beijing 100083，China) Abstract： Basing on the retrospect for rich research fruits of radiation effects in semiconductor device，this paper introduces some research trends of radiation effects in semiconductor devices，such as single event effects in avionics and on the ground，radiation effects in synthetic radiation environments， single event effects in compound semiconductor devices，radiation effects in photoelectric devices， radiation effects in power semiconductor devices，radiation effects in Silicon on Insulator(SOI) CMOS integrated circuits and design techniques of radiation hardening for mixed-signal circuits. Some typical research results are given and some research directions which should be continued also are pointed out. Key words： semiconductor device；radiation hardening；research trends 1945 年美国在日本的广岛和长崎投下第 1 颗原子弹，造成重大核环境灾害。 1946 年国际原子能委员会对原 子能的发展控制失败，在以苏联和美国为首的 2 大阵营对垒形式下，美国的 Sandia 公司从 Los Alamos 实验室分