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* 第五章 半导体存储器 5-1 概述 一、存储器的分类 存储器可以按不同的方法进行分类 1、按用途分－－内、外 、Cache 2、按物理介质分－－半导体、磁表面存储器 3、半导体存储器分类－－RAM、ROM 二、存储器的主要性能指标 1、存储容量 存储容量＝字数×字长 2、存取速度 存取速度 存取时间（TA） 存取周期（TM） 3、可靠性－指对电磁场及温度变化的抗干扰能力 5、性能价格比 三、存储系统的层次结构 1、Cache－主存层次 由硬件电路控制 2、主存－辅存层次 由辅助软、硬件电路控制 功能：Cache的速度、主存的容量 功能：辅存的容量、辅存的价格 4、 集成度－指一块芯片内集成多少个基本存储电路 3、存储器系统层次结构的组成原则 从以上的层次结构中可见： 每位价格从上往下依次减小； 存储容量从上往下依次增加； 存取速度从上往下依次减慢； CPU访问频率从上往下依次减少； 四、存储器的基本结构 计算机系统中主存的基本结构如下所示： 其中： 存储矩阵－存储二进制信息的基本存储电路的集合体 地址译码器－接收CPU的地址信号进行译码，以便 选中某一单元 时序与控制电路－－指片选、读/写控制电路 1、随机存取存储器 典型的静态RAM的基本结构如下所示： （1）静态基本存储电路－－六管静态存储电路 （2）静态RAM芯片 6264 （8K×8） 引脚功能： A12～A0：13根地址总线，用于选 择片内213个存储单元的任意一个; I/O7～I/O0：8根双向数据线，并 行传送8位读/写数据 ：写入允许信号，低电平有效 ：读出允许信号，低电平有效 ：片选信号，为低才能对芯片进行读/写操作。 其余还有6116（2K×8）、62128（16K×8） 62256（32K×8）…… （3）动态RAM电路 2、只读存储器ROM （1）EPROM的基本存储电路和工作原理 出厂时，每个单元的浮动栅极上都没电荷，管内没有导电沟道 源－漏极之间不导电－－存储“1”； 在漏－源极之间加25V电压，同时加50ms编程脉冲，所选单元 在此电压作用下，漏极与源极之间被瞬时击穿，电子通过Sio2绝缘 层注入到浮动栅。在高电压去除后，因浮动栅被Sio2绝缘层包围， 注入的电子无泄漏通道，形成导电沟道－－存储“0”。 （2）2764EPROM简介 EPROM2764引脚说明： A12～A0：地址线 O7～O0：数据线，读出时为输出, 编程时为输入 ：芯片允许，低电平有效 ：输出允许，低电平有效 PGM：编程脉冲控制 VPP：编程电压输入 典型的EPROM电路还有： 2716(2K×8)、2732(4K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8) 典型的EEPROM电路有： 2816、2817、2864…… 5-2 8086存储器组织 一、存储器地址的分段 存储器是以字节为单位组织的，他它具有20根地址线，故寻址空间为1MB，每个字节对应一个唯一的地址。由于8086 CPU内部寄存器只有16位,可寻址64K,因此8086 系统把整个存储空间分成许多逻辑段，每段容量不超过64K字节。8086 系统对存储器的分段采用灵活的方法，允许各个逻辑段在整个存储空间中浮动，这样，在程序设计时可使程序保持相对的完整性。段和段之间可以是连续的（最多分为16个段)，也可以分开的或是重叠的（最多分为64K个段)。 I、存储器地址的分段 2、逻辑地址来源 （见教材P-28 表2-7） 二、8086存储器的分体结构 8086系统中，1M的存储空间分成两个存储体：偶体和奇体 存储器分段示意如下（见教材P26图2-7） 分体结构 示意图为： 数据存放 如： *