基于相变存储器的存储技术研究综述 - 计算机学报.pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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基于相变存储器的存储技术研究综述 - 计算机学报

第卷第期计算机学报３８５　　　　　　　　　Ｖｏｌ．３８Ｎｏ．５年月２０１５５Ｍａ２０１５ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＣＯＭＰＵＴＥＲＳｙ　基于相变存储器的存储技术研究综述冒伟刘景宁童薇冯丹李铮周文张双武　　　　　　（华中科技大学武汉光电国家实验室／计算机科学与技术学院武汉）４３００７４　　摘要以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战传统的基于动态随机存储器（）．ＤＲＡＭ　　、；（）器件的内存面临工艺尺寸缩小至及以下所带来的系统稳定性数据可靠性等问题相变存储器具有２ＸｎｍＰＣＭ非易失性存储密度高功耗低抗辐射干扰等优点且读写性能接近是未来最有可能取代的非易、、、，ＤＲＡＭ，ＤＲＡＭ，失存储器它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础．上，对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析，研究了基于相变存储器的内存技术和外，、、、，存技术分析了当前在的寿命写性能延迟功耗等方面所提出的解决方案指出了现有方案的优势和面临ＰＣＭ的缺陷，并探讨了未来的研究方向，为该领域在今后的发展提供了一定的参考．关键词相变存储器；非易失存储器；存储技术；计算机体系结构　中图法分类号；号／ＴＰ３０３ＴＰ３３３犇犗犐１０．３７２４ＳＰ．Ｊ．１０１６．２０１５．００９４４　　　犃犚犲狏犻犲狑狅犳犛狋狅狉犪犲犜犲犮犺狀狅犾狅犚犲狊犲犪狉犮犺犅犪狊犲犱狅狀犘犺犪狊犲犆犺犪狀犲犕犲犿狅狉犵犵狔犵狔ＭＡＯＷｅｉＬＩＵＪｉｎＮｉｎＴＯＮＧＷｅｉＦＥＮＧＤａｎＬＩＺｈｅｎＺＨＯＵＷｅｎＺＨＡＮＧＳｈｕａｎＷｕ　　　　　　ｇｇｇｇ（／，犠狌犺犪狀犖犪狋犻