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1、简述MOS晶体管的沟道长度调制效应。 答：当漏极与源极之间的电压增大时，实际的反型沟道长度L逐渐减小，也就是说，L实际上是VDS的函数，这种效应称为沟道长度调制 对运算放大器进行频率补偿的目的是什么？根据系统稳定性条件，得到足够相位裕度的补偿方法通常有哪两种方法。 目的：用以改变其频率响应，引入负反馈破坏自激振荡条件，减小时钟和相位差，使输入输出频率同步并且有足够的稳定性。 方法： 把总的相移减少至最小，使相位交点往后推，如图（a）所示 降低增益，使增益交点往里推，如图5-1（b）所示 3、相位裕度PM反应了闭环系统的什么问题？根据稳定性判据简述之。 答：主要用来衡量负反馈系统的稳定性，并能用来预测闭环系统阶跃响应的过冲。 稳定性裕量（即相对稳定性，也即目前的稳定状态离临界稳定状态有多远）在可在奈奎斯特图中定量分析，即奈奎斯特图与临界稳定点（-1，j0）越近，稳定裕量越小。在奈奎斯特图上定义了相角裕量和增益裕量来衡量相对稳定性。定义如下：增益（即开环增益K）裕量：指增益的最大值，此时系统处于临界稳定。临界稳定时，奈奎斯特图过（-1，j0）点。增益裕量的另一定义：若G（jw）在复平面上与负实轴相交，此时幅值记为A（肯定小于1），则，增益裕量定义为（1/A）。注:1对应于临界点（-1，j0）的幅值。 相角裕量：若奈奎斯特曲线绕原点（顺时针）旋转达到与点（-1，j0）相遇所需要的相移量。注：即奈奎斯特曲线与单位圆的交点与（-1，j0）相遇。 增益裕量h的物理意义是：若开环增益增加h倍，则系统恰好处于临界稳定。相角裕量gama(希腊字母,呵呵)的物理意义是：系统工作于截止频率（幅值增益为1时的频率）时，若相角再滞后gama，则系统临界不稳定。 4、简述模拟集成电路层次设计概念，并写出：①电路层次的各抽象级别；②晶体管级或电路级的三种描述方式。 5、简述MOS晶体管的衬底偏置效应。 源极电位和衬底电位不同,引起阈值电压的变化. 答：由基本的pn结理论可知，处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。上图说明了nmos管在vds较小时的衬底耗尽层变化情况，图中的浅色边界是衬底偏置为0时的耗尽层边界。当衬底与源处于反偏时，衬底中的耗尽区变厚，使得耗尽层中的固定电荷数增加。由于栅电容两边电荷守衡，所以，在栅上电荷没有改变的情况下，耗尽层电荷的增加，必然导致沟道中可动电荷的减少，从而导致导电水平下降。若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增加栅上的电荷数。对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使mos晶体管的阈值电压的数值提高。对nmos，vtn更正，对pmos，vtp更负，即阈值电压的绝对值提高了 6、简述相位裕度的概念。 7、W/L=50/0.5，ID=05Ma,计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗，及本征增益gmro。 8、导出用ID和W/L表示的gmro的表达式，画出以L为参数的gmro—ID曲线。 9、如图电流镜电路，已知M1的宽长比为30um/0.5um，M2的宽长比为60um/0.5um，Iin=45uA ① 求Iout（忽略沟道长度调制效应） ② 若λn=0.1，求Rout。 10、如图基本电流镜电路，每个晶体管的宽长比为100um/1.6um ，Iin=45 Ua,ro= [8000L(um)]/[ID(mA)]，计算 ①电流镜电路的gm1和rout ②使每个晶体管都处于饱和区时的最小输出电压 ③输出电压变化0.5V时Iout的变化情况（忽略二阶效应） 11、如图是一个晶体管M1构成的共源放大器，偏置电流Io是理想电流源。 ① ??出Vout随输入Vin变化的函数曲线草图 ② 导出用Io和W/L表示的晶体管M1的本征增益。 ③ 当晶体管M1的沟道长度L增加一倍时，放大器增益增加多少？ 12、在图示电路中，设（W/L）1=10um/1um，（W/L）2=1um/1um，IS=75Ua,且为恒流源，VDD=3V。 ①画出输入输出特性曲线。 ②求最大和最小输出电压。 ③若要求M1的直流电流为100uA，求Vin的值。 ④求在③条件下小信号增益和输出阻抗 13、如图差分放大器中，M1、M2是NMOS，M3、M4是PMOS,CL是输出节点对地的总负载电容，I是偏置电流，如MOS管的宽长比都为100um/1.6um，I=200uA，ro=[8000L(um)]/[ID(mA)]. ①计算差分放大器的直流增益和输出阻抗rout ②忽略输入电容，该电路有几个极点？写出响应的极点表达式。