PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜.pdfVIP

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2017-08-10 发布于天津
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PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜

年第期( )卷０５２２４２０１６５４７文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１６０５Ｇ０５２２４Ｇ０３法在面蓝宝石衬底上制备纤锌矿外延薄膜∗ PLD c ZnS , , , , , 张蕾方龙刘攀克刘越彦黎明锴何云斌　　 ( , ) 湖北大学材料科学与工程学院功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室武汉４３００６２ : , 摘要采用脉冲激光沉积方法以为靶材面蓝宝石为衬底制备了一系列的薄膜并采用四圆单晶衍　　 ZnS c ZnS . , , 射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响结果表明所 ; , 有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构在衬底温度为７５０℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ ( ) ( )且 ( ) ( )].进一步研究了在下加 ZnS００１∥AlO ００１ ZnS１１０∥AlO １１０７５０℃ ２３２３ , 入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响结果表明在沉积 ZnS薄膜前先沉积一层 ZnO薄膜缓 , 冲层可以进一步有效提高薄膜的晶体质量和面外取向性其中在沉积时间为的缓冲层上制备的 ZnS ２min ZnO , ( ) . ZnS外延薄膜晶体质量最好其００２面摇摆曲线半高宽为１．３５° 本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义. : ; ; ; ; 关键词脉冲激光沉积薄膜缓冲层外延生长晶体结构　 ZnS 中图分类号: 文献标识码: : / 　O４７２ A DOI１０．３９６９．issn．１００１Ｇ９７３１．２０１６．０５．０４２ j 通