α-六噻吩OTFT器件痕量NO2气体传感器的制备及特性研究.pdfVIP

· 16 · 材料导报 B：研究篇 2012年 11月(下)第 26卷第 11期 I)一【六噻吩 OTFT器件痕量 NO2气体传感器的制备及特性研究 李 娴，蒋亚东，谢光忠，太惠玲 (电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) 摘要 以 六噻吩(msexithiophene，a-6T)为有源层，二氧化硅 (SiO2)为绝缘层，钛 ／金 (Ti／Au)为电极，分别 制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管 (Organicthin-filmtransistors，OTFT)器件。讨论了OTFT 器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明，基于Q一6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较 高的实时响 应；OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系，随着沟道宽长比的增大，器件的响应灵敏度提 高、响应时间延长，宽长比为 160的器件气敏性能最佳。 关键词 沟道宽长比 有机薄膜晶体管 二氧化氮 灵敏度 中图分类号：TP212．2 文献标识码 ：A StudyonPreparationandPropertiesofOrganicThin—Film TransistorsBasedon — Sexithi0phenetoTraceNO2 LIXian，JIANGYadong，XIEGuangzhong，TAIHuiling (StateKeyLaboratoryofE1ectronicThinFilmsandIntegratedDevices，SchoolofOptoelectronicInformation， UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054) Abstract Threekindsoforganicthin-film transistors(OTFT)withdifferentratiosofchannelwidthtolength werefabricated． sexithiophene (a一6T)andsilicondioxide (SiO2)wereusedastheactivelayerand theinsulating layer，respectively，titanium／aurum (Ti／Au)weremadeastheelectrodeforthepreparedOTFT，andthethreeratios ofchannelwidthtolengthwere40。160and640．Theinfluencesofa-6T OTF丁devicesofdifferentehanne1ratioson gassensitivepropertieswerediscussed．Theresultsshowedthatthea-6T basedOTFT hadgoodreal-timeresponseto NO2，theratioofchannelwidthtolengthhadeffectongasresponse，theresponsesensitivitybecamehigherandre— sponsetimebecamelongerwhentheratioofchannelwidthtolengthincreased，andadevicewitharatioofchannel widthtolengthof160exhibitedtheoptimum gassensingproperty． Keywords ratioofchannelwidthtolength，organicthinfilm transistors，nitrogendioxide，sensitivity 载流子可以是空穴(n型材料)，也可以是 电子(p型材料)凹]。