SiO2含量对PI／SiO2杂化薄膜性能的影响.pdfVIP

王勇涛 等 ：SiO。含量对 PI／SiO。杂化薄膜性能的影响 SiO2含量对 PI／SiO2杂化薄膜性能的影响 王勇涛，王伟伟 ，张学艳，张 瑾，柳清菊 (云南大学 云南省高校纳米材料与技术重点实验室 ，云南 昆明 650091) 摘 要 ： 聚酰亚胺 与 SiO。杂化形成的有机一无机杂 在机械强度和热稳定性较差等 问题 ，因此研究人员对 化薄膜体现出了优异的综合性能，在催化与分离、微 电 PI进行了一系列改性 以提高它 的综合性能 。改性得 子、光电和绝热材料等领域具有广泛的应用及发展潜 到的杂化薄膜在催化与分离 、微电子、光电和航天航空 力。杂化材料相关的研究也越来越 多，就 SiO 含量对 等领域得到了极为广泛的应用_1]。 聚酰亚胺／SiOz杂化薄膜的光、电、热和力学性能的影 在 目前 PI杂化薄膜 的研究中，以溶胶一凝胶 (sol— 响进行综述 ，总结了杂化薄膜的性能随 siO 含量变化 ge1)法制备的聚酰亚胺／SiO (PI／Si0 )杂化薄膜的研 而变化 的基本规律 。 究最为广泛和深入 ¨4]。利用 sol—gel法在 PI基体 中 关键词 ： SiO 含量 ；PI／SiO ；杂化薄膜 引入吸水率低 、热膨胀系数小 的SiO 纳米颗粒 ，可使 中图分类号 ：TB332；TM215．3；TQ323．7文献标识码 ：A 杂化薄膜的强度 、韧性和热稳定性等均得到提高 ，并 降 文章编号：1001—9731(2011)O8—1351-O3 低杂化薄膜的热膨胀系数等[6]。在 sol—gel过程中PI 基体与 SiO：纳米颗粒可 以达到纳米级甚至分子级水 1 引 言 平的复合 ，PI和 SiO 之间形成 了新的化学键 ，一般认 聚酰亚胺 (PI)薄膜 以其优 良的热性能、机械性能 为 PI／SiO。杂化薄膜的理论结构式如图 1所示。 和电性能而具有广泛 的用途 ，但在实际的应用 中仍存 = - i--= si S 三 Si＼ 三 Si＼ -- l c~o＼ ／ o』／ I I C o』 一 一 一 ＼N—R， N— c。H。一 ； 。 ；一 。 I