PZT基体沉积条形分布NiTiSMA薄膜复合材料的介电性能.pdfVIP

·48 · 材料导报B：研究篇 2011年5月(下)第25卷第 5期 PZT基体沉积条形分布 NiTiSMA薄膜复合材料的介电性能 张玉姣 ，刘庆锁 ，卢明超。 (1天津理工大学材料科学与工程学院，天津300384；2公妥部天津消防研究所国家固定灭火系统和 耐火构件质量监督检验中心，天津 300381) 摘要 使用模具并采用磁控溅射法在铁电陶瓷PZT基体上沉积具有条形分布结构的NiTiSMA薄膜。显微 组织结构观察发现，以条形分布结构方式沉积的NiTiSMA薄膜晶化处理后具有等轴晶结构。比较所静】备 PZT／Ni— TiSMA薄膜复合材料与纯PZT的介电常数及介电损耗发现，两者的介电损耗水平接近；复合材料的介电常数比纯 PZT的提高约 18 。NiTiSMA的沉积使基体中靠近薄膜区域的Zr／Ti物质的量比恰好落在准同型相界 区内，致使 所制备复合材料的介电性能优于纯PZT。 关键词 NiTiSMA薄膜 沉积方式 等轴晶 介电性能 中图分类号：TB333 文献标识码：A DielectricPropertiesofNiTiSMA／PZTHeterogeneousCompositesBased加 PZT withStripDistributionNiTiFilm ZHANGYujiao，LIU Qingsuo，LUMingchao (1 SchoolofMaterialsScienceandEngineering，TianjinUniversityofTechnology，Tianjin300384；2 ChinaNationalCenterfor QualitySupervisionandTestofFixedFire-fightingSystemsandFire-resistingBuildingComponents，TianjinFire ResearchInstitute，Tianiin300381) Abstract TheNiTiSMA thinfilm withstretchedcrystalstructureswassputteredonthePZT substratesvia magnetronsputteringmethodwithaspeciallydesignedmold．AnequiaxedcrystalstructureintheNiTiSMA thinfilm wasobservedundermicroscopyaftertheprocessofcrystallization．Dielectricmeasurementshowsthatthecompo site hasasimilardielectric1OSSaspurePZT butadielectriccoefficient18 higherthanpurePZT．DepositionofNiTi SMA thinfilmmakestheZr／TiratiointhevicinityPZT substratefallintothemorphtropicphaseregion．andleadsto abetterdielectricresponseinthecomposite． Keyw0rds NiTiSMA thinfilm，magnetronsputtering，equiaxedcrystal，dielectricproperly NiTiSMA薄膜，探究新型薄膜沉积形式下获得的薄膜的组 0 引言 织结构及复合材料的介电性能，以期为充分发挥 PZT的应 Pb(ZrTi)Os(PzT)铁电陶瓷具有 良好的压 电性、介 电 用价值并开发出新型P