实验三体验存储系统.docxVIP

实验三体验存储系统一、实验目的1）实验二把LED代码放在外部DRAM。本实验要求把该代码放在内部RAM(Stepping Stone)，并运行该代码。2）代码拷贝，程序跳转二、实验设备及工具硬件：飞凌OK6410开发板、USB转串口线、OTG下载线软件：PC机操作系统WIN 8.1、DNW、RVDS2.2三、实验原理1、物理内存分成:Memory: 0x0~0x6fff_ffffPeripheral: 0x7000_0000~0xffff_ffff2、IROM启动引导过程BL0：搬移8KB代码到stepping stone（从NAND Flash、SD/MMC、ONENAND Flash等启动介质之一）BL1：把其他启动代码从启动介质拷贝到SDRAM里面Bootloader内部RAMstepping stone功能：当NAND FLASH启动被选择时能映射到引导镜像区。3、代码实现 LED的控制代码与实验二相同，放在main.c里面。在s文件里面，进行代码复制。从DRAM地址0始的代码复制到stepping stone 地址0x0c000c00开始的一段内存中，复制完后将PC设置为0x0c000c08，即从内部运行LED控制代码。四、实验步骤1、RVDS编译工程相应设置1) Language Settings:RealViewAsse-Target-Architecture or -ARM1176JZF-S2) Language Settings:RealView Comp-Target-Architecture or Processor-ARM1176JZF-S3) Linker-RealView Linker-Output-Simple image-RO Base-0x500000004) Linker-RealView Linker-Options-Image entry point-0x500000005) Linker-RealView Linker-Layout-Place at beginning of image-Object/Symbol-start.o6)Linker-RealViewFromELF-Output file name-Ledtest.bin2、连接USB转串口线、OTG线、电源，打开DNW，开启电源，按空格键，选择6，输入命令dnwUSB Port-transmit,选择生成的bin文件，发送，dnw软件中输入go可看到四个LED灯轮流闪烁。3、附加要求：将LED控制代码从外部DRAM的地址拷到另一个外部DRAM地址运行。如上图，只需将划线地址更改为外部地址即可。两个地址值相差8.五、实验总结 S3C6410 具备了一个内部 SRAM缓冲器，叫做“STEPPINGSTONE”，支持 NAND FLASH 的系统引导。当系统启动时，NAND FLASH 存储器的前面 4KB 将被自动载入到 STEPPINGSTONE 中，然后系统自动执行这些载入的引导代码。通常情况下，这 4K 的引导代码需要将 NAND FLASH 中程序内容拷贝到 SDRAM 中，在引导代码执行完毕后跳转到 SDRAM 执行。附：实验代码IMPORT MainAREA |C$$code|, CODE, READONLYglobal startstartbl copyldr pc, =0x56000c08 on_sdram;ldrsp, =0x0c000f00 bl Maincopymov r1, #0dr r2, =0x56000c00mov r3, #4*100loopldr r4, [r1],#4 str r4, [r2],#4 subs r3, r3, #4 bne loopmovpc,lrEND#define rGPMCON (*(volatile unsigned *)(0x7F008820))#define rGPMDAT (*(volatile unsigned *)(0x7F008824))#define rGPMPUD (*(volatile unsigned *)(0x7F008828))voidmsDelay(int time){volatile unsigned inti,j;for(i = 0; i 2000000; i++)for(j=0; jtime; j++);}void GPIO_Init(void){rGPMCON = 0x11111;rGPMPUD = 0x00;rGPMDAT = 0X1F;