电工学第8章思考题.pptVIP

* 第 8 章 半导体器件 分析与思考 下一页 8.1 (1) P 型半导体中空穴是多数载流子，因而 P 型半导体电；N 型半导体中自由电子是多数载流字，因而 N 型半导体带负电。这种说法是否正确。 8.1 (2) 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子运动？ 8.2 (1) 试从正向电压，反向饱和电流的大小以及温度的影响等方面比较，硅管和锗管的优点。 8.2 (2) 试分析图 8.3 (a)（教材图 8.2.6）所示整流电路中的二极管 D2或 D4 断开时负载电压的波形,如果 D2 或 D4 接反,后果如何?如果 D2 或 D4 因击穿或烧坏而短路,后果如何? 返回主页 返 回 下一页 上一页 8.2 (3) 在图 8.4 [教材图 8.2.8 (a)]所示的电路中，如 果 C 断路，负载直流电压有 无变化？变化了约百分之多 少？如果 C 短路，后果怎样？ 8.3 (1) 将图 8.5 ( 教材图 8.3.2 ) 所示的电路中的 R 改接到 DZ 之后（即 DZ 与 RL之间），可 否起稳压作用；会产生什么后果? 8.3 (2) 稳压电路中的限流电阻 R = 0,是否可以？有何后果？ 图8.3 图8.4 图8.5 返 回 下一页 上一页 8.3 (3) 稳压电路中的稳压管接反了，有何后果? 8.5 (1) 晶体管的 IB 一定时，IC 将随温度的变化而变化,尤其是锗管对温度更为敏感,这是为什么? 8.5 (2) 已知有两个晶体管都工作与放大状态,测得他们的三个极的电位分别为－0.7 V，－1 V，－6 V 和 2.5 V，3.2 V，9 V,试判断三个极,并说明他们是 PNP 型，还是 NPN 型，是锗管还是硅管? 8.5 (3) 某晶体管 PCM = 100 mV，ICM = 20 mA，BU(BR)CEO= 15 V，试问在下述情况下,哪种是正常工作的： （a）UCE = 3 V，IC = 10 mA; （b） UCE = 2 V, IC = 40 mA ；（c）UCE= 6 V，IE = 20 mA 。 返 回 下一页 上一页 8.6 (1) 为什么说晶体管是电流控制元件,而场效应管是电压控制元件? 8.6 (2) 试说明 NMOS 管与 PMOS 管，E 型管和 D 型管的主要区别。 8.6 (3) 某场效应晶体管，当 UGS 3V，UDS 0 时，才会产生 ID。试问该晶体管是四种场效应晶体管中的 哪一种。 8.6 (4) 试画出 UDS UGS(th) ， UGD = UGS(th) 时，E 型 NMOS 管中导电沟道的形状。 返 回 下一页 上一页 8.8 (1) 在图 8.7 ( 教材图 8.8.3 ) 所示可控整流电路中，增加控制角α 时，导通θ 增加还是减少？ 负载直流电压如何变化？ 8.8 (2) 图8.7 (教材 8.8.3 ) 所示电路中， α = 60°和 120 °时负载电压 UO 的最大值是否相同? 8.8 (3) 试画出将图 8.9 ( 教材图8.8.5 ) 所示交流调压电路改用两个普通晶闸管来代替的电路。 图8.7 图8.9 返 回 下一页 上一页 8.8 (4) 图 8.11 ( 教材图 8.8.6 ) 所示直流调压电路可否简单地用普通 晶闸管实现? 图8.11 8.1 (1) P 型半导体中空穴是多数载流子，因而 P 型半导体电；N 型半导体中自由电子是多数载流子，因而 N 型半导体带负电。这种说法是否正确。 【答】这种说法不正确。P 型半导体和 N 型半导体本身并 不呈带电性。 分析与思考解答 返 回 下一题 上一题 返 回 下一题 上一题 8.1 (2) 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子运动？ 【答】 因为扩散运动是多数载流子因为浓度上的差异而形成的运动，而漂移运动是少数载流子在内电场作用下形成的运动。 8.2 (1) 试从正向电压，反向饱和电流的大小以及温度的影响等方面比较，硅管和锗管的优点。 【答】 从正向电压降看，硅管的正向电压降比锗管的大，这是锗管的优点;从反向饱和和电流看,硅管的反向饱和电流比锗管小，这是硅管的优点；从温度的影响看