迈博瑞滤芯半导体之清洗工艺.pptx.pptVIP

　 　 MS? AFS-Pure PFA全氟滤芯，采用 e-PTFE膜和PFA 中心杆及外壳，可以满足最恶劣环境中的最严格的过滤要求，适用于微电子行业各种强腐蚀性酸、碱、有机溶剂等化学品的过滤，且耐高温，可达260℃。先进的流体动力学设计，使过膜压差更低，单位面积通量更大。独特的打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿命更长。洁净生产间生产，100%完整性测试。 　 MS?SteriPure PES滤芯采用高不对称的亲水性聚醚砜膜，带无纺布支撑层， PP材质的中心杆，外壳、端盖，具有广泛的化学兼容性，适合于微电子中的超纯水，腐蚀性化学品过滤。高精度的截留效率，使过滤流体洁净度更高。最高耐受温度9 0 ℃。过膜压差低，流体通量大。独特的打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿命更长。洁净生产间生产，100%完整性测试。 半导体之清洗工艺及滤芯应用　 芯片生产过程视频介绍 　 典型的化学清洗工艺 污染物类型：颗粒、有机残留物、无机残留物、要去除的氧化层。 化学品 作用 工艺温度 选用滤芯 H2SO4+氧化剂（H202/NH42S2O8/HNO3/O3） 可去除大多数无机残留物和颗粒，也可用于光刻中去光刻胶 90-125℃ 全氟（0.05～0.2um） HF/H2O(DHF) 去除硅氧化层 室温 PTFE/PES（0.0３～0.2um） NH4OH/H2O2/H2O(SC-1) 去除有机残留物 75-85℃ 全氟（0.02～0.2um） HCl/H2O2/H2O(SC-2) 去除残留金属离子 75-85℃ UPW超纯水清洗 用于各清洗步骤前后，去除残留药剂 20-85℃ PES/NY（0.04～0.1um） 　 NH4OH/H2O2/H2O (SC-1): 利用氨水的弱碱性活化硅晶圆及微粒子表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥；双氧水具有氧化晶圆表面的作用，然后氨水对SiO2进行微刻蚀，去除颗粒 氨水与部分过度金属离子形成可溶性络合物，去除金属不溶物 H2O:H2O2:NH4OH=5:1:1～7:1:1 (H2O2:30%,NH4OH:29%) HCl/H2O2/H2O(SC2): 利用双氧水氧化污染的金属，而盐酸与金属离子生成可溶性的氯化物而溶解。 HCl:H2O2:H2O=1:1:6～1:2:8，在70度下进行5~10分钟的清洗(HCl:37%,H2O2 :30%) SC1、SC2标准溶液统称为RCA清洗 H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean): 利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳氢键，去除有机不纯物。 H2SO4:H2O2=2~4:1，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡 　　 HF/H2O(DHF)或HF NH4F/H2O(BHF): 清除硅晶圆表面自然生成的氧化层，通常使用稀释后的氢氟酸（0.49%~2%）或以氢氟酸和氟化铵生成的缓冲溶液 HF:NH4F=1:200~400，在室温下进行15~30秒的反应 　 湿法清洗工艺流程 　　 AFS-Pure PFA MS?FlorPure PTFE滤芯采用高精度e-PTFE膜，带无纺布支撑层。中心杆，外壳，端盖等采用PP材质，具有优异的耐腐蚀性能，对全氟滤芯来说是一种很好的经济型的替代。可用于除去流体中纳米级的颗粒杂质，保持流体的高洁净度。最高耐受温度80℃。先进的流体动力学设计，使过膜压差更低，单位面积通量更大。独特的打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿命更长。洁净生产间生产，100%完整性测试。 FluorPure-HF PTFE 　　 SteriPure PES