第四章 复杂电子衍射花样.pptVIP

* * Au Cu 0.75Cu 0.25Au 无序相 有序相 H,K,L奇偶混杂时，F=0 H,K,L奇偶混杂时，F不等于0 * * CsCsCl无序和有序的模型和对应的电子衍射花样 超点阵斑点的判断：出现了本不该出现的斑点，且强度低； 指标化方法：与简单花样标定方法一样 * 第三节 孪晶电子衍射花样 同一物质的两部分晶体按确定的对称关系并排的生长在一起，叫做孪晶。 按形成方式有： （1）生长孪晶；（2）形变孪晶 * 孪晶是由不同位向的两部分晶体组成，所以其衍射花样是两套不同晶带单晶斑点的叠加，而这两套斑点的相对位向势必反映基体和孪晶之间存在着的对称取向关系。 (HKL) hkl htktlt [HKL] * （1）入射电子束方向与孪晶轴垂直（与孪晶面平行） 两套斑点呈现明显的对称性，并与实际点阵的对称关系完全一致。 * * （2） 入射电子束与孪晶面不平行，以任意方向入射的情况 得到的衍射花样一般不能直观反映孪晶和基体之间的取向对称性。 花样指数标定过程： 区分基体与孪晶斑点，形成二套衍射花样 确定基体晶带轴[uvw]，对基体斑点进行标定 根据下式标出与[uvw]平行的孪晶之带轴[utvtwt] Valid for cubic structure * 绘制孪晶所有可能的(utvtwt)*二维倒易平面，与孪晶的电子衍射谱比较，确定可能的(utvtwt)* 此晶体可能有几种孪晶面，也就有几种可能的[utvtwt] 将基体的(uvw)*与孪晶的(utvtwt)*按一定取向关系叠加在一起，最后确定孪晶关系并标定孪晶电子衍射谱。 Valid for cubic crystals * 一般这个过程可由计算机来完成 Valid for cubic crystals 该式表明：可求解孪晶斑点(hkl)T在基体倒易点阵中的位置坐标， 相当于斑点指数从孪晶坐标到基体坐标的变换。 反之，若孪晶斑点(htktlt)在基体中的位置已知，也可用该公式求出 其孪晶斑点指数(hkl)T * 第四节 二次衍射花样 电子通过晶体时，产生的较强衍射线可以作为新的入射线，在晶体中再次产生衍射。 * * bcc结构，f10的条件 h?+ k + l = 偶数 若（h1k1l1）和（h2k2l2）之间发生二次衍射，二次衍射斑点 （h3k3l3）=（h1k1l1）+（h2k2l2） h3 + k3 + l3 = 偶数 （h3k3l3）本身fh3k3l3 10，即应该出现的。 即不会出现多余的斑点，仅是斑点强度发生了变化。 bcc 结构的二次衍射 * fcc 结构的二次衍射 bcc结构，f10的条件是：h, k, l 全奇数或全偶数 显然（h3k3l3）=（h1k1l1）+（h2k2l2） h3、k3、l3???? 为全奇数或全偶数，本身是存在的。 因此，不会出现多余的斑点，仅是斑点强度发生了变化。 * 其他情况下的二次衍射 * * (a) (b) O D1 O D2 O D1 D2 (c) (d) 两相合金二次衍射示意图 d1晶体Ⅰ d2晶体Ⅱ O D3 D2 D1 NiTiC合金中 常有TiC相时 效析出，其电 子衍射图中有 两套主要格 子，同时有许 多弱衍射斑出 现在主衍射斑 周围，这些弱 衍射斑就是二 次衍。 * 花样特点: 除规则斑点之外,还出现一些亮暗成对的平行线条。 第五节 菊池花样 * * 菊池线花样的产生 菊池线是由经过非弹性散射失去较少能量的电子随后又受到弹性散射所产生的。 * * I 0 ?1 ?2 菊池衍射引起的强度变化 * ‘excess’ line ‘deficient’ line 菊池线的几何特征 ?的值决定了菊池线 对的位置 * 菊池线的几何特征 ?=0，即B//[uvw]时，线对对称分布于中心斑点两侧； ?=? ，亮线通过(hkl)斑点，暗线通过中心斑点； ?=其他角度，线对的两条线相对于透射斑点是不对称分布的，距透射斑近者为暗线，远者为亮线； 菊池线的几何特征 hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交 (h1k1l1) 和 (h2k2l2) 菊池线对的夹角等于晶面(h1k1l1) 和 (h2k2l2) 的夹角 菊池线对的中线是衍射晶面(hkl)与底片的交线；两条中线的交点即为两个对应晶面所属的晶带轴与底片的截点，一般称之为菊池极。所以，同一晶带的菊池线对的中线相交于一点。 菊池花样中可出现多个菊池极，即可出现属于多个晶带的菊池线对 * 菊池线的指标化 依据：菊池线的几何特征 菊池线和单晶衍射斑点的相对位置 * 第四章 复杂电子衍射花样 Complex diffraction patterns * * 复杂电子衍射花样