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MC9S12XS128内存映射和数据flash操作 北京联合大学实训基地——潘峰 QQ问题 内部地址总线宽度为16位，寻址范围有多大？ MC9S12XS128的RAM,P-FLASH,D-FLASH各有多大？ 在程序中给出如下定义 unsigned int *p； p=0x8000； data=*p； 这上面这段代码中，访问的是哪一块存储区域？ 解答 16位地址，寻址范围为0~65536，即64k MC9S12XS128的RAM为8K，P-FLASH为128K，D-FLASH为8K。 *p=0x8000，访问的是P-FLASH？ MC9S12XS128内存结构 MC9S12XS128使用global adress（全局地址）对内存划分地址空间。全局地址共23bit，寻址能力达到8M 使用全局地址划分的内存空间如下： 0x10_0000~0x10_1FFF:8K d-flash 0x7E_0000~0x7F_FFFF:128K p-flash 0x0F_E000~0x0F_FFFF:8K 非分页RAM 问题：CPU和BDM都是使用16bit local address（本地地址）我们在程序中定义的指针变量默认都是near型，即16位地址，如何解决？ 分页地址映射 MC9S12XS128使用分页地址映射的方法，在程序中使用16位地址访问更大的存储空间。 访问RAM 使用地址0x2000 ~0x3FFF，访问8K RAM 访问D-FLASH 使用地址0x0800 ~ 0x0BFF，访问1K D-FLASH(一个D-FLASH页) 访问P-FLASH 使用地址0x8000 ~0xBFFF，访问16K P-FLASH(一个P-FLASH页) 我们程序中的指针指向不同的地址范围，访问的内存空间也不同。 问题？如何访问8k的d-flash空间和128k的p-flash空间 分页地址映射 MC9S12XS128的FLASH存储区是分页组织的以D-FLASH为例，共分8个页面，每页1K大小，地址如下： EEPROM_00 0x00_0800 TO 0x00_0BFF; EEPROM_01 0x01_0800 TO 0x01_0BFF; EEPROM_02 0x02_0800 TO 0x02_0BFF; EEPROM_03 0x03_0800 TO 0x03_0BFF; EEPROM_04 0x04_0800 TO 0x04_0BFF; EEPROM_05 0x05_0800 TO 0x05_0BFF; EEPROM_06 0x06_0800 TO 0x06_0BFF; EEPROM_07 0x07_0800 TO 0x07_0BFF; 访问D-FLASH 当访问d-flash时，地址由页地址和页内偏移量组成 页地址由EPAGE寄存器指定 页内偏移量范围0x0800~0x0BFF; 例如，读出第0页的第一个存储单元一个字的信息，代码如下： unsigned int data； EPAGE=0x00； data=((unsigned int)(*(volatile unsigned int *__near)(0x0800))) D-FLASH常见操作 D-FLASH是一种非易失性存储器（NVM）用于保存掉电后不会丢失的数据 常用操作有读、擦除、写入，其中读操作可直接通过指针读取，而擦除和写入则需要通过flash控制器完成，具体步骤如下： 设置flash模块时钟 设置命令字和相关参数 将命令字和相关参数传递给flash控制器，启动flash操作 设置flash模块时钟 初始化flash模块是必须设置fclk，且为1MHz，fclk是有晶振时钟分频而来， Flash控制模块使用该时钟实现flash写入和擦除时的定时，通过设置FCLKDIV寄存器完成。 7 6 5 4 3 2 1 0 R FDIVLD FDIV[6:0] W Reset 0 0 0 0 0 0 0 0 该寄存器每一位都可读出，但只有FDIV[6:0]可写入。 FDIVLD:时钟分频载入 1：从上一次复位开始，FCLKDIV寄存器已写入。 0：FCLKDIV寄存器还未写入。 当晶振频率为16M时，FDIV设置为0x0F。当晶振频率为其它值时，具体设置参考数据手册。 *注意：1.在flash命令执行过程中，FDIV不可被写入 2.只有FDIVLD==1时，才可以进行flash操作 设置命令字和相关参数 D-flash操作是通过FCCOB寄存器向存储器控制器提供命令码和相关参数实现的。用户首先需要初始化所需的FCCOB寄存器。 FCCOB是