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LDEV线性显影单元介绍

L.DEV线性显影单元详细介绍 沈奇雨 Contents 显影工艺介绍 显影原理 显影工艺介绍 三种显影方式比较 显影工艺介绍 显影工艺的主要性能指标 L.DEV unit 用到的Liquid介绍 L.DEV unit 用到的Liquid L.DEV unit 用到的Liquid介绍 TMAH液 L.DEV unit 用到的Liquid介绍 L.DEV unit 用到的Liquid介绍 四甲基氢氧化氨危害特性 L.DEV unit 用到的Liquid介绍 DIW L.DEV 设备介绍 L.DEV 设备介绍 L.DEV 设备介绍 L.DEV 设备介绍 L.DEV 设备介绍 L.DEV Unit实物图 L.DEV 设备介绍 L.DEV Unit实物图 L.DEV 设备介绍 L.DEV Unit实物图 L.DEV 设备介绍 L.DEV Unit实物图 L.DEV 设备介绍 Nagase之DMS/DDS浓度测定原理简介 L.DEV 设备介绍 L.DEV 设备介绍 I0 = 吸收光 Ia + (Ir) Log(I/ I0) = - K·C·L ( K=吸收定数 C=浓度 ) 当假设 I/ I0 = T 时 Absorbance = E = Log(1/T) = -LogT = K·C·L L.DEV uint Recipe的编辑 L.DEV uint Recipe的编辑 L.DEV uint Recipe的编辑 L.DEV uint Recipe的编辑 L.DEV uint Recipe的编辑 L.DEV unit 引起的产品不良案例 L.DEV unit 引起的产品不良案例 L.DEV unit 引起的产品不良案例 L.DEV unit 引起的产品不良案例 L.DEV unit 引起的产品不良案例 L.DEV unit 引起的产品不良案例 L.DEV unit 引起的产品不良案例 1,过显影 Gate层由Al/Mo组成,金属Al容易氧化腐蚀,Al膜上面的Mo较薄,由于过显影使金属膜层受到显影液氧化腐蚀产生蚀孔。 1. 显影液有气泡 2. 显影液温度、浓度不正常引起的CD变化 3. 显影不足 4. 风刀过吹 …… 其它类: 充分发挥你的想象,上述因素会造成产品哪些不良? Do not copy or distribute. Copyright ? 2007Tianma Microelectronics 成都天马 * 一:显影工艺介绍 二:L.DEV unit 用到的Liquid介绍 三:L.DEV 设备介绍 1. L.DEV 2. DMS/DDS 四:L.DEV uint Recipe的编辑 五:L.DEV unit 引起的产品不良案例 Develop即显影。经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液,因为显影液为碱性,对正性光阻而言,被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中,而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。因此,显影之后,在玻璃基板上,只剩下电路部分有光阻,而其它区域无光阻。留下我们所需要的电路形貌。 注:此处所指的是正性光阻,TFT工艺中正性光阻应用广泛。 对于负性光阻而言,正好相反,留下的是被曝光的部分。 PR Coating Exposure 塗佈前洗浄 Develop PHT工艺流程 浸润式: 用于玻璃基板尺寸较小的TN LCD和STN LCD中 Spin(Shower)法:需多次显影,产能较低,易产生雾及静电 Spray,Shower法:显影液利用率高,产品良率高,成本降低 TFT-LCD: 1, 显影后线宽。通过CD测量仪器来测量。 2, 光阻的表面形貌。通过切片和SEM电镜扫描观察来获得数据。 显影单元需控制的三个参数 1, 显影温度 2, 显影浓度 2, 显影时间 TMAH液 (四甲基氢氧化氨水溶液) DIW AIR 用途: 置换显影液 清洗 用途: 用于显影 用途: AK单元用于干燥基板 Liquid TMAH:四甲基氢氧化铵 一种有机性强碱物质 注:有机膜工艺中用0.4%的TMAH液。所用浓度根据工艺要求来定。 显影工艺TMAH液: 浓度:2.38% (有机膜:0.4%) (SHTM目前采用) 温度:23℃ 四甲基氢氧化氨水溶液是碱性溶液,我们可以采用NaOH或KaOH的水溶液吗? 早期的正性显影液是氢氧化钠或氢氧化钾与水的混合物 ,而现在的TFT 光刻工艺中,氢氧化钠和氢氧化钾现已经被四甲基氢氧化铵(TMAH)的水溶液所取代 。 取代的原因: TFT LCD电路对污染很敏感,可动离子污染(MIC)是不能接受的 可动离子污染主要指Na+和Ka+对器件的污染 可动离子的大量存在会造成膜层间不必要的短路,而且会对后面成膜工艺中膜层的附着

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