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§3 光电导器件 光电导效应 某些半导体吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收， 从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。 本征光电导效应 λ 1.24 µm 半 本征吸收 L Eg ( ) 导 改变导电特性 1.24 1.24 杂质吸收 λ λ µm 体 杂质光电导效应 L ∆ED L ∆EA ( ) 对 激子吸收 光 的 自由载流子吸收 吸 收 晶格吸收 光电导效应 微弱辐射下半导体材料的光电导g 为 ηqτµ g 2 Φe,λ hνl 求导可得 q η τµ dg dΦe , hνl 2 λ 半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度S g dg d g q η τµ S g dE dΦ hνl2 , , e λ e λ 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度是与材料性 质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度l 的平方成反比。 光电导效应 强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间 的关系为 1 ηbd 2 1 抛物线关系 g qµ Φ2 , ν 3 e λ h K l f 半导体材料在强辐射作用下的光电导灵敏度S g 1 dg dg 1 ηbd 2 −1 S = qµ Φ 2
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