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2017-06-16 发布于江苏
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Ch6-CVD-许向东

薄膜技术授课教师：许向东电子科技大学光电信息学院离子镀回顾：三极型离化-加速分离 ARE 加反应源 VAD 离子源纯化 IBAD 可控的轰击源第六章化学气相沉积第一讲化学气相沉积：(Chemical Vapor Deposition) 物理气相沉积：(Physical Vapor Deposition) 1. 引言（1）常规薄膜制备： MOS SiN SiO x 2 Si(100) Si(100) 依靠传统CVD技术（2 ）特殊材料制备：特殊材料1：金刚石薄膜特殊材料2：碳纳米管（学） Sumio Iijima, “Helical microtubules of graphitic carbon”, Nature, 354, 56, (1991) 依靠改进的CVD技术 2. 课程要点：化学气相淀积的基本原理工艺控制（1课时） CVD特点选择 CVD装置（1课时）低压CVD 等离子体化学气相沉积PECVD 典型例子（1课时）金属有机物化学气相沉淀（MOCVD ） CVD薄膜典型例子（1课时） §6-1 CVD的基本原理物理气相沉积：(Physical Vapor Deposition) “s-g-s” 源材料、衬底、激活源、反应腔 SiH CVD示意图： 4 650℃ S Hi 4 ⎯⎯→S⎯i 2H2＋ ↑ Si膜一、定义：利用热、等离子体、紫外线、激光、微波等各种能源，使气态物质经化学反应形成固态薄膜。它的反应物是气体，生成物之一是固体。特征：必须有化学反应发生；但PVD 中也可能有化学反应发生，主过程是蒸镀、溅射这样的物理搬运过程。关键：高纯源物质、优化的沉积条件。二、CVD成膜原理本质上是气— 固多相化学反应，所以经历 (1) 反应物分解，产生气态的活性原子； g g (2) 活性原子向基板表面输运扩散；