JN-CLD系列真空磁控溅射镀膜机型号及技术参数 - 真空镀膜设备.DOC

JN-CLD系列真空磁控溅射镀膜机型号及技术参数 性能 型号 JN-CLD-700 JN-CLD-900 JN-CLD-1000 JN-CLD-1250 JN-CLD-1400 JN-CLD-1600 镀膜室尺寸 Ф700×H900mm Ф900×H1100mm Ф1000×H1200mm Ф1250×H1350mm Ф1400×H1600mm Ф1600×H1800mm 电源类型 灯丝电源、脉冲偏压电源、直流磁控电源、中频磁控电源、射频磁控电源、线性离化源 真空室结构 立式双开门、立式前开门结构、后置抽气系统 真空室材质 优质不锈钢材质腔体 极限真空 6.0×10-4Pa 抽气时间(空载） 从大气抽至8.0×10-3Pa≤15分钟 真空获得系统 扩散泵或分子泵+罗茨泵+机械泵+维持泵（具体型号可根据客户的要求进行配置） 镀膜方式 磁控溅射镀膜 制膜种类 金属膜、反应膜、化合物膜、多层膜、半导体膜 磁控靶类型 矩形磁控靶、圆柱形磁控靶、孪生磁控对靶 磁控电源功率及磁控靶数量 根据不同镀膜工艺和客户的需求进行选配 偏压电源 10KW/1台 20KW/1台 20KW/1台 30KW/1台 40KW/1台 50KW/1台 工件转架转动方式 行星式公自转、变频调速（可控可调） 工艺气体 3路或4路工艺气体流量控制及显示系统 选配自动加气系统 冷却方式 水循环冷却方式，另需配冷却水塔或工业冷水机或深冷系统。（客户提供） 控制方式 手动/自动一体化方式、触摸屏操作、PLC或计算机控制 整机总功率 30KW 35KW 40KW 50KW 65KW 80KW 报警及保护 对泵和靶等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警，并执行相应保护措施及电气联锁功能。 设备占地面积 W2m×L3m W2.5m×L3.5m W3m×L4m W4m×L5m W4.5m×L6m W5m×L7m 其他技术参数 水压≥0.2MPa、水温≤25℃、气压0.5-0.8MPa ZZ-560型射频磁控溅射真空镀膜设备 一、 用途及特点 1. 为单室立式结构的高真空多功能真空镀膜设备，射频磁控溅射真空镀膜、直流磁控溅射真空镀膜的组合，既能满足各类膜层的实验研究，又能减少射频辐射的机会，当溅射金属材料时，可采用直流磁控溅射真空镀膜;当溅射非金属材料时,可采用射频磁控溅射真空镀膜. 2. 可真空镀膜膜层:金属单质膜(如Al、Ni)、合金膜、氮化物膜、碳化物膜、氧化物膜、其它非金属化合物膜. 二、 主要技术指标和外部设施要求 (一) 技术指标: 1. 真空镀膜室型式: 立式圆筒形、间歇工作 2. 真空镀膜室尺寸: φ600×400 3. 极限真空度: 5×10-3Pa 4. 压升率: ≤2Pa/h 5. 靶数量: 2个 6. 靶功率: 单靶2KW 7. 加热温度: 室温~150℃ 8. 工件最大尺寸: 垂直方向最大尺寸≤100mm 9. 总功率: 25KW （二）外部设施要求: (用户自备) 1. 电源: 380V 2. 气源: 压缩空气: 净化干燥,使用压力0.4~0.6Mpa 高纯氩气: 99.999% 高纯氮气: 99.999% 其它气体 3.冷却用水 压力: 1.5~2.5Kg/cm2、水温＜20℃ 4.占地面积: 20m2 三、 主要组成部分:真空镀膜室、真空系统、充气系统、气动系统、水路系统、电控系统 1.真空镀膜室 真空镀膜真空室体、靶装置、传动系统、加热器、观察窗、靶挡板机构、隔热屏、放气阀. 1).真空镀膜室体:为立式园筒形侧开门不锈钢结构. 2).靶装置:靶体及其零部件、磁体、屏蔽罩 靶型式:园形平面靶 靶面有效尺寸:φ120 靶位排布:侧面对放 靶特点:采取2个同心环磁体,每个同心环均由若干个磁柱 组成环状,可拓宽靶刻蚀区和改善靶原子的沉积分 布,从而提高膜厚的均匀度. 靶-基距:靶与基片的距离为50~80连续可调 3).传动系统:电机、主轴、密封箱、轴承、水冷箱等等. 4).加热器: 管状加热器 2.真空系统: 扩散泵: K-200T 罗茨泵: ZJ-30 旋片泵: 2X-8