InGaAsMOSFET的电容电压特性-微电子学.PDF

第 卷第 期 微 电 子 学 , 45 1 Vol.45 No.1 年 月 2015 2 Microelectronics Feb.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 InGaAsMOSFET的电容电压特性 , 陈 军 黄大鸣 ( , ) 复旦大学 微电子学系 专用集成电路与系统国家重点实验室 上海 201203 : , , 摘 要 通过自洽求解泊松和薛定谔方程 计算了 和 的电容电压 GaAsInAs InGaAsMOSFET ( ) , 。 特性 并与 的 特性以及 的 测量结果做了比较 研究结 CV SiMOSFET CV GaAsMOSFET CV , , , 。 果表明 对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体 量子效应非常明显 反型电容显著降低 研究 , , , 结果还表明 随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加 量子效应更加突出 反型电容进 一步减小。 : ; ; ; 关键字 InGaAs MOSFET 电容电压特性 量子效应 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN306 A 1004-3365201501-0140-05 CaacitanceVoltaeCharacteristicsofInGaAsMOSFET p g , CHENJun HUANGDaming ( , , , , ) StateKe Laborator o ASICandSstem Deartmento Microelectronics FudanUniversit Shanhai201203 P.R.China y y f y p f y g Abstract: ( ) , , ThecaacitancevoltaeCV characteristicsofGaAs InAs andInGaAsMOSFETswerecalculated