Inx Ga1 - x As盖层InAs量子点的发光性能研究 - 吉林大学.PDFVIP

Vo l. 26 高 等 学 校 化 学 学 报 No. 10 2 0 0 5 年 10 月 　　　　　CHEM ICAL JOURNAL OF CH IN ESE UN IV ER SITIES　　　　　 　 1926 ～1929 　 In Ga A s盖层 InA s量子点的发光性能研究 x 1 - x 1, 2 1, 3 1 1 4 杨景海 , 宫 　杰 , 杨丽丽 , 范厚刚 , 赵庆祥 ( 1. 吉林师范大学凝聚态物理研究所 , 四平 136000; 2. 吉林大学材料科学与技术学院 , 长春 130023; 3. 长春大学应用力学院 , 长春 130022; 4. 查尔摩斯技术大学物理学院 , 哥德堡 S4 12 96, 瑞典 ) ( ) 摘要 　用分子束外延系统在 GaA s 00 1 衬底上生长 InA s量子点 , 在 InA s量子点上插入 3 nm 的 In Ga A s 04 06 层 , 可将量子点发射波长调谐到 1 300 nm 附近. 对样品进行氢等离子处理 , 研究处理前后样品的 InA s量子 ( ) 点光致发光 PL 强度的变化. 结果表明 , 在 InA s量子点与相邻层的界面上以及 GaA s层中存在界面缺陷 , 采 用氢等离子处理可有效地抑制界面缺陷 , 大幅度地提高发光效率. 关键词 　InA s量子点 ; 界面缺陷; 光致发光 中图分类号 　O644; O324　　　　文献标识码 　A 　　　　文章编号 (2005) ( ) 目前 , 量子点 QD s 已经成为一个热门研究领域 , 研究量子点不仅对基础理论的发展起到重要作 用 , 而且量子点可以用来制造发射波长为 1 300 nm 的高热稳定性激光器 , 在光电方面有着巨大的应用 潜力. 近 10年来 , 人们已经对量子点的电子结构 、发射波长 、弛豫时间、衰落时间、生长模型及在激 光器上的应用等方面进行了较深入的研究[ 1～15 ] . 研究发现 , InA s量子点的形状和大小与基片的温度 、 生长速度 、覆盖层以及 InA s额定厚度等生长条件有密切关系 [ 1, 16 ] , 通过改变生长条件或使用合适的覆 盖层可以调谐 InA s量子点的发射波长 , 获得波长为 1 300 nm 的发射光. 在制造激光器时 , 除了调节发 射波长外 , 还必须提高光增益和半导体激光器的稳定温度 T . L e Ru 等 [ 17 ] 的研究结果表明 , 引入氢不 0 仅能够提高 InA s量子点的辐射复合效率 , 而且还能提高光增益. ( ) 迄今 , 对以 GaA s为衬底生长的 InA s量子点进行的研究尚未见报道.