硅薄膜太阳电池电极接触特性的研究.pdfVIP

薄膜表面进行腐蚀，并研究了其织构的影响因素：在制备薄膜时需要很好 的掌握反应气压的最佳点，既保证优良的光电特性又要能腐蚀出一定的绒 度。同时，只有在恰当温度范围内制备的ZnO：Al薄膜腐蚀后才会得到适 合我们要求的绒面结构； 和分析。在织构后的ZnO：Al上沉积的p-pc-Si：H薄膜的晶化率均大于在未 织构的ZnO：AI上沉积的P．pc．-Si：H薄膜，且它们的接触电阻也均小于未织 底上沉积的p-pc—Si：H薄膜的晶化率较高，且其接触电阻也较低，即织构时 间存在最佳点；如略微增大硼掺杂浓度(O．1％-0．15％)的话，其变化规 律与轻掺杂的相同，总体来说接触特性变差：在不同织构时问的ZnO：AI 衬底上沉积的p-pc-Si：H薄膜的晶化率均下降，且接触电阻均变大； (5)对背电极的接触也作了一些研究：①对于电子柬蒸发制备的ZnO：AI薄 膜，掺杂浓度存在一拐点，当掺杂浓度为2．5％时n-a-Si：H／ZnO：Al的接触电 阻最小，这是因为在掺杂浓度为2．5％时ZnO：Al薄膜的电阻率最小；②保 持掺杂浓度为2．5％时，改变ZnO：Al膜的厚度，在厚度变化不大的情况下， 度变化不大时，薄膜的性能基本相同(电阻率和结晶度差别不大)，但体 电阻随着厚度的增加而增加；③磁控溅射制备的ZnO：AI薄膜， n-a-Si：H／ZnO：Al的接触电阻随着厚度的增加而不断减小，这是因为磁控溅 射制备的ZnO：Al薄膜随着厚度的增加，结晶度不断变好，ZnO：AI薄膜的 电阻率不断减小。 关键词：硅薄膜电池 透明导电膜 掺杂膜 等离子体化学气相沉积 接触 特性 n Abstract AsaIlunexhaustedclean of and solar is energy,theutilitydevelopmentenergy moreattention thinfilmssolarcellhasmore paid bypeople．Crystalline merits：hi【曲 conversion of siliconsolar lifetimeofbulksiliconsolar efficiencycrystal cells,long ofa-Sithinfilmssolar cells，simplemanufacturingprocessing cell． thin filmssolarcellconsistofseveral ofdifferentchemical Crystalline layers andhencedifferentandelectronic structureof composition optical properties．The solar cellis or or inthistext．Therealeinterfaceeffect glass／TCO／pinnipfrCO／AlAg is beM啪differentthe ofsolarcell influencedthem． layers，andproperties