中国科学院微电子研究所博士研究生入学考试.PDFVIP

中国科学院微电子研究所博士研究生入学考试 《模拟集成电路》考试大纲 一、考试形式和试卷结构 考试采取闭卷笔试形式，考试时间180 分钟，总分100 分。试卷结构为：基础题占60%， 共20-30 道题； 专业题占40% ，设置为灵活题型(分析计算题) ，共4-8 道题。 二、考试内容与考试要求 1、 掌握基本的MOS 和bipolar 器件模型及二级效应 模拟集成电路的重要性，CMOS 模拟集成电路的特点和设计一般概念，MOS 模拟集 成电路与双极型模拟集成电路的区别，CMOS 模拟集成电路与工艺发展的关系，模 拟集成电路设计中器件的物理效应与模型应用问题。MOSFET 的结构，MOS 器件的 I/V 特性，阈值电压，导通电阻，器件的工作区域，体效应系数，沟道长度调制系数， 亚阈值问题，器件模型与SPICE 仿真要求。 2 、 掌握基本放大器结构及技术指标 各种负载下的共源级放大器，包括带源极负反馈的共源级问题；源跟随器结构，共 栅级结构，共源共栅的特点，从跨导的分析，与增益的关系，优化动态范围的情况 下，如何提高放大器的增益。单端与差动的工作方式，基本差分对的定量分析（叠 加法）；共模响应与电路参数对称的关系；简单差分对和Cascade 差分对，吉尔伯特 单元的结构与特点。 3、 掌握模拟集成电路的各种噪声 电阻以及晶体管的各种噪声源机理，包括热噪声、闪烁噪声等， 以及电路实际应用 中的噪声分析， 4 、 掌握含运放的模拟电路频率响应及稳定性设计 密勒效应，极点与节点的关联；共源级，源跟随器，共栅级，共源共栅级，差分对 等电路的传输函数，极点频率，与处理方式。带有各种反馈网络的模拟集成电路频 域和时域分析。 5、 掌握参考电压和偏置电路设计以及无源与有源电流镜 电压基准源与各种结构的电流镜知识，设计基本的电压基准源并进行稳定性分析； 设计基本电流镜，共源共栅电流镜的准确性与电压裕度的优化，有源电流镜，采用 有源电流镜负载的差分放大器。大信号分析，小信号分析，有源电流镜的差分对共 模特性。 6、 掌握基本的ADC 和DAC 结构及设计 不同结构的A/D 数模转换器和D/A 模数转换器的工作原理、应用和电路设计。A/D 数模转换器和D/A 模数转换器的噪声分析，以及采样原理。 7、 掌握CMOS 工艺及版图设计技术 基本的工艺与版图设计知识，版图所对应的电路，版图设计的对称性结构设计。 三、参考书目 1. 《CMOS 模拟集成电路设计》（第2 版），P. E. Allen 著，冯军 译，电子工业出版社。 2. 《模拟CMOS 集成电路设计》，Behzad Razavi 著，陈贵灿 译，西安交通大学出版社。 3. 《模拟集成电路的分析与设计》（第4 版），Paul R. Gray 著，张晓林 译，高等教育出版 社。 4. 《模拟电子技术基础》（第三版），童诗白、华成英主编，高等教育出版社，2001 年。 编制单位：中国科学院微电子研究所 编制日期：2014 年1 月23 日