一、 是非题：.DOCVIP

是非題： () 1.VLSI (超大型積體電路)通常是以TTL的技術製成的。 X () 2.格雷碼是數碼的一種，和二進制轉換電路可用XOR閘做成，並具有偵錯性質。 O () 3.三態TTL邏輯閘像一個開關，經由它的控制端，可以控制輸入端的數位信號傳送到輸出端或使輸出變成浮接，即高阻抗狀態。 O () 4.一般B系列CMOS閘皆可形成線接或閘(Wired OR Gate) X () 5.任何一個布林函數均可以全用NOR閘實現，是因為任何一布林函數均可以寫成和之積形式。 O () 6.F(A,B,C,D)=Σ(1,2,4,7,8,11,13,14)，則f=(A⊕B)⊕(C⊕D)。 O () 7.布林函數F=BC+C+AC+ABC其最簡式為C。 O () 8.加法器採用前瞻進位法(look-ahead carry method)的設計旨在增加其運算之可靠度。 X () 9.串列資料傳送的應用中，可用解多工器做資料的傳送，再用多工器做資料的接收。 X () 10.將JK正反器的J,K兩腳連接在一起，可變成T型正反器。 O () 11.若採用16位元計數暫存器，則其迴路最多可執行65535次。 O () 12.CMOS對於不用之輸入端如空接，會改變電路之臨界電壓。 O () 13.共射極放大器中，若無補償，則集極電流將隨溫度增高而增大。 O () 14.箝位器的目的是將輸出波形定於不同的準位上，原波形可能會受到外加電壓而改變，至少需有二極體、電容器與電阻三種元件。 X () 15.N通道FET,SD極間的半導體材質為N型，其導電載子為電子。 O () 16.VMOS FET因具有正溫度係數的特性，故可對抗熱逃脫之干擾可能性。 O () 17.OPA理想特性為輸入阻抗∞，頻寬∞，抵補電壓0，電壓增益∞ 。 O () 18.差動放大器若射極電阻愈大，則CMRR愈大，將愈容易受雜訊干擾。 X () 19.BJT電晶體飽和時，其VCE(SAT)＞VBE(SAT)。 X () 20.單接面電晶體LJT的本質比η易受溫度影響，當溫度升高時，η會隨之上昇。 O () 21.雙向觸發二極體(DIAC)的崩潰電壓約為+20V～40V。 X () 22.欲使電晶體工作於飽和區工作，電晶體兩個接面必須是B、E逆向，B、C順向。 X () 23.相鎖環路(Phase-Locked Loop)PLL中，包括有相位檢波器，高通濾波器及電壓控制振盪器。 X () 24.電晶體共射極放大之電流增益為β，其值為β=hfe=。 X () 25.電晶體共集極放大器之電壓增益小於1，輸入阻抗高，一般用於電流放大。 O () 26.理想電壓放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別應為∞,0。 O () 27.樞密特電路不需任何I/P及觸發，可得一連串方波O/P。 X () 28.A類放大器若採用串饋式(電阻性)負載，則最大效率為50%。 X () 29.電流負回授是在輸出端取樣電流做負回授，其會使電路的輸出阻抗變大。 O () 30.若輸入信號為2sin(30t)+4sin(60t)，而輸出為4sin(30t)+6sin(60t)，則此放大器有頻率失真。 O () 31.光敏電阻常用CdS做成，當光線沒有照射時，其呈現的電阻值最小。 X () 32.近接開關是屬於位置感測器，常用的近接開關之專用IC為TCA305。 O () 33.連續漸進式之A/D轉換器，是由比較器，上/下計數器及一個D/A轉換器來完成。 O () 34.依A.W.G線規規定導線號愈大者，其直徑愈大。 X () 35.N位元的電阻階梯網路DAC，其滿刻度輸出電壓為(輸入電壓LSB電壓)。 X () 36.在印刷電路板製作完成後，對於使用後的氯化鐵溶液，應該用鋁製的容器裝好，待下次再使用。 X () 37.印刷電路板上電子零件的焊接，以使用60Sn～65Sn程度的焊錫為宜。 O () 38.有一只色碼電阻器其標示依序為棕紅黑棕綠，則表示其電阻器的容許誤差為±5% 。 X () 39.若以512K*1的DRAM來組成16MB的記憶體，共需要128個DRAM IC。 X () 40.若CPU為N位元，則表示該CPU的外部資料匯流排為N條。 X () 41.在ASCII碼中，若加上同位元(Parity bit)檢查，可以偵測出所有傳輸的錯誤。 X () 42.磁頭的降落區(Landing Zone)是磁片中磁頭浮起及停下所使用的區域，要安裝硬碟時，要將此區的磁軌號碼通知BIOS，以便停機時磁頭能自動降落在此區。 O () 43.交流電壓V=100sin 100t，加在R=10Ω及L=10H的串聯電路，為改善功率因數使其值為1，可串聯10uf