GaN功率放大发展状态评测-AnalogDevices.PDFVIP

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2017-06-13 发布于天津
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GaN功率放大发展状态评测-AnalogDevices

技术文章 GaN功率放大发展状态 Walt DeMore 评测 ADI公司工程经理但硅的热导率和电导率相对较差，抵消了其在高性能、高可靠 | 分享至LinkedIn | 电子邮件性应用中的成本优势。这些器件的栅极长度小至0.2 μm ，支持 ( 在毫米波频段工作。在许多高频应用以及所有低频应用除对成 ) 摘要本最为敏感的应用之外中，基于GaN 的器件已经在很大程度 ( ) ( ) 上取代了砷化镓GaAs 和硅横向扩散金属氧化物半导体LDMOS GaN功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率器件。 ( ) 的高功率连续波CW 和脉冲放大器成为可能。 RF功率放大器设计人员关注GaN器件，因为它们支持非常高的 ( ) 工作电压比GaAs高三到五倍，并且每单位FET栅极宽度容许的 ( ) 氮化镓GaN 功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平电流大致是GaAs器件的两倍。这些特性对PA设计人员有重要意作出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗。以栅极长度和更高的工作电压，GaN 晶体管已实现更高的输出功 ( 前基于GaAs或LDMOS的设计的输出阻抗常常极其低相对于50 Ω 率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。例如，2014年已做 ) 或75 Ω的典型系统阻抗而言。低器件阻抗会限制可实现的带宽